STF21N90K5

STF21N90K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的TO-220FP通孔封装，专为在高电压、高功率密度应用中实现卓越的开关效率和可靠性而设计。其核心架构通过优化单元密度和沟道设计，在保持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻，这是其高性能表现的基石。

该芯片的核心优势在于其900V的高漏源击穿电压（Vdss）与低至299毫欧（典型值）的导通电阻（Rds(on)）的出色结合。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）可达18.5A，最大功率耗散为40W，展现了强大的电流处理与散热能力。其栅极驱动特性经过精心调校，最大栅源电压（Vgs）为±30V，而标准驱动电压为10V，确保了驱动的便捷性与安全性。此外，较低的栅极电荷（Qg，最大值43nC）和输入电容（Ciss）有效减少了开关过程中的损耗和驱动电路的压力，从而提升了系统的整体开关频率和效率。

在电气参数方面，STF21N90K5具备宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C），保证了其在严苛环境下的稳定运行。其阈值电压Vgs(th)最大值为5V，提供了良好的噪声抑制能力。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。这些优异的接口与参数特性使其成为构建高效功率转换系统的理想选择。

基于其高耐压、低导通损耗和快速开关特性，该器件非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑、工业电机驱动与变频器、UPS（不间断电源）以及照明镇流器等中高功率领域。在这些场景中，它能够有效降低系统能耗，提升功率密度，并凭借其稳健的设计确保长期运行的可靠性。

• 型号:STF21N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 18.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1645 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF21N90K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH5产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心特性在于其高达900V的漏源电压（Vdss）与低至299毫欧的导通电阻（Rds(on)）的优异组合，在高压应用中能显著降低传导损耗。

在25°C壳温下，其连续漏极电流额定值为18.5A，最大功率耗散为40W，具备较强的电流处理能力。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为43nC，有助于实现快速开关并减少驱动损耗，提升系统整体效率。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在宽温度范围内的稳定性和可靠性。