2SD1047

2SD1047是ST意法半导体推出的一款高性能NPN双极性功率晶体管（BJT），采用经典的TO-3P金属封装，专为高电压、大电流的功率放大和开关应用而设计。其核心架构基于成熟的硅平面工艺，通过优化的掺杂和结深控制，实现了140V的高集射极击穿电压与12A的大集电极电流能力的平衡。这种设计确保了器件在高压工作条件下仍能保持稳定的电流放大特性，同时通过良好的热传导路径，将最大功耗能力提升至100W，为系统提供了充足的功率裕度。

该晶体管的功能特点突出表现在其优异的开关与线性放大性能上。其饱和压降典型值在7A电流下仅为700mV，这意味着在导通状态下，器件自身产生的功耗极低，有助于提升整体系统的能效。直流电流增益（hFE）在1A、5V条件下最小值为60，提供了良好的电流驱动能力，简化了前级驱动电路的设计。此外，高达20MHz的跃迁频率使其不仅适用于中低频的功率放大，也能胜任一定频率范围内的开关应用，响应迅速。其集电极截止电流（ICBO）最大仅为100nA，体现了出色的关断特性，有效降低了静态功耗。

在接口与关键参数方面，2SD1047采用通孔安装的TO-3P-3（也称为SC-65-3）封装，这种封装以其坚固的机械结构和卓越的散热性能著称，便于安装在散热器上以应对高功耗场景。其工作结温高达150°C，确保了在恶劣热环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购，以获得正品保障和完整的供应链服务。

基于其技术规格，2SD1047非常适合应用于对功率处理能力有较高要求的工业与消费电子领域。典型应用场景包括音频功率放大器的输出级、开关模式电源（SMPS）中的开关元件、电机驱动控制器、UPS不同断电源系统以及各类线性稳压电源的调整管。其高耐压特性使其能够从容应对电源电压波动或感性负载产生的反峰电压，是构建稳健、高效功率电路的可靠选择。

• 型号:2SD1047
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3P
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS NPN 140V 12A TO-3P
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:NPN
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:12 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:140 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:700mV @ 700mA，7A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:60 @ 1A，5V
• 功率 - 最大值:100 W
• 频率 - 跃迁:20MHz
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
• 供应商器件封装:TO-3P
• 想获取2SD1047的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

2SD1047是ST意法半导体生产的一款NPN功率双极性晶体管，采用TO-3P封装。其核心优势在于140V的高集射极击穿电压和12A的大电流处理能力，结合最大100W的功耗，使其能够胜任高功率应用。

该器件在7A电流下的饱和压降仅为700mV，导通损耗低，效率高。同时，其最小60的直流电流增益提供了良好的驱动特性，而20MHz的跃迁频率确保了其在开关应用中的快速响应能力。这些参数共同定义了其在高性能功率放大与开关电路中的核心价值。