TMMBAT48FILM

TMMBAT48FILM是ST意法半导体推出的一款高性能表面贴装肖特基势垒二极管。该器件采用先进的半导体工艺制造，其核心架构基于金属-半导体结原理，相较于传统的PN结二极管，其正向导通压降显著降低，反向恢复时间极短，这使得它在高频开关和高效整流应用中表现出色。其内部结构经过优化，确保了在紧凑封装下依然能提供稳定可靠的电气性能。

该二极管的关键特性在于其卓越的快速开关性能与低功耗表现。其反向恢复时间(trr)仅为10ns，支持快速恢复操作，适用于高频电路环境。同时，在200mA正向电流(If)条件下，正向压降(Vf)典型值仅为750mV，这有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体能效。其反向漏电流在40V反向电压(Vr)下也控制在25A的极低水平，体现了出色的反向阻断能力。对于需要稳定供应的客户，可以通过授权的ST代理商进行采购，以确保产品的原装正品与技术支持。

在接口与参数方面，TMMBAT48FILM定义了明确的操作边界。其最大直流反向耐压(VR)为40V，平均整流电流(Io)为350mA，能够满足多数低功率场景的需求。此外，其结电容在0V偏压和1MHz测试频率下仅为20pF，这进一步保障了其在高速信号路径中的性能，减少了对信号完整性的影响。器件采用DO-213AA（玻璃）封装，具体供应商器件封装为迷你型MELF，这种表面贴装形式非常适合自动化贴片生产，有助于实现高密度PCB板设计。

基于其技术特点，TMMBAT48FILM非常适合应用于对效率和速度有较高要求的领域。例如，在开关电源(SMPS)的次级侧整流、DC-DC转换器、高频逆变器以及极性保护电路中，它都能有效减少开关损耗和电压尖峰。此外，在便携式电子设备、通信模块的电源管理部分，以及需要快速关断的信号钳位和续流二极管应用中，其小尺寸、低Vf和快速恢复特性使其成为理想的选择，有助于延长电池续航并提升系统可靠性。

• 型号:TMMBAT48FILM
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:迷你型 MELF
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SCHOTT 40V 350MA MINI MELF
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:肖特基
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:40 V
• 电流 - 平均整流 (Io):350mA
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 200 mA
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):10 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25 A @ 40 V
• 不同Vr、F 时电容:20pF @ 0V，1MHz
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:DO-213AA（玻璃）
• 供应商器件封装:迷你型 MELF
• 工作温度 - 结:-65°C ~ 125°C
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TMMBAT48FILM是ST意法半导体生产的一款表面贴装肖特基二极管，采用迷你型MELF (DO-213AA)封装。其核心卖点在于优异的快速开关性能与高效率，典型反向恢复时间低至10ns，支持高频操作；在200mA正向电流下，正向压降仅为750mV，显著降低了导通损耗。

该器件额定最大反向电压为40V，平均整流电流为350mA，反向漏电流在满额电压下控制在25A。极低的结电容（20pF @ 0V, 1MHz）确保了其在高速电路中的信号完整性。这些参数使其成为要求低功耗、高频率的整流和开关应用的理想解决方案。