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STPSC12065DY

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分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
原厂封装:封装:TO-220AC
优势价格,STPSC12065DY的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STPSC12065DY的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STPSC12065DY是ST意法半导体推出的一款高性能碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管,采用先进的宽禁带半导体技术制造。该器件采用TO-220AC封装,属于符合AEC-Q101标准的Automotive产品系列,并采用ECOPACK2环保材料,确保了在严苛汽车电子环境下的高可靠性与稳定性。其核心优势在于利用碳化硅材料特性,从根本上消除了传统硅基快恢复二极管固有的反向恢复电荷问题,实现了近乎理想的无恢复开关特性。

该二极管在电气性能上表现卓越,其最大反向重复电压高达650V,能够轻松应对工业及汽车应用中的高压瞬态。在12A的额定平均整流电流下,其典型正向压降仅为1.45V,这一低导通损耗特性有助于显著降低系统功耗,提升整体效率。尤为关键的是,其反向恢复时间(trr)为0ns,这意味着在开关过程中不会产生反向恢复电流尖峰和相关的开关损耗,这对于高频、高效开关电源拓扑至关重要。此外,在600V反向电压下,其反向漏电流典型值低至50A,体现了出色的高温阻断能力。

在接口与参数方面,STPSC12065DY提供通孔安装的TO-220AC封装,便于散热器安装和功率耗散。其零电容恢复特性与低结电容(典型值750pF @ 0V, 1MHz)相结合,进一步减少了开关过程中的振荡和电磁干扰(EMI)。这些参数共同构成了其高效率、高频率和高可靠性的三大技术支柱。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过授权的ST一级代理进行采购,以确保产品来源的正规性与后续服务的完整性。

基于上述特性,该器件非常适用于对效率和功率密度有严苛要求的应用场景。在服务器电源、通信电源、工业电机驱动和不间断电源(UPS)中,它能有效提升系统效率并减少散热需求。在新能源汽车领域,如车载充电机(OBC)、DC-DC转换器和驱动逆变器中,其高温下的稳定性能和零反向恢复特性对于延长续航里程、提高系统可靠性具有重要价值。此外,在太阳能逆变器和储能系统中,它也能帮助实现更高的能量转换效率。

  • 型号:STPSC12065DY
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220AC
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
  • 描述:DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 技术:SiC(Silicon Carbide)Schottky
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):650 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):12A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.45 V @ 12 A
  • 速度:零恢复时间 \> 500mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):0 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 A @ 600 V
  • 不同Vr、F 时电容:750pF @ 0V,1MHz
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-2
  • 供应商器件封装:TO-220AC
  • 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
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STPSC12065DY是ST意法半导体推出的一款650V/12A碳化硅肖特基二极管,采用TO-220AC封装,并符合AEC-Q101汽车级标准。其核心卖点在于利用碳化硅宽禁带材料特性,实现了零反向恢复时间(trr=0ns),彻底消除了传统硅二极管在开关过程中产生的反向恢复损耗和电流尖峰。

该器件在12A电流下的典型正向压降仅为1.45V,具备低导通损耗特性,同时其高温下的反向漏电流极低。这些特性使其能够在高频开关电路中显著提升效率、降低EMI并简化散热设计,非常适用于追求高功率密度和高可靠性的汽车电子、工业电源及新能源转换系统。

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