STF28NM50N

STF28NM50N是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一硅片上实现了低导通电阻（R_DS(on)）与低栅极电荷（Q_g）的出色平衡。其核心在于采用了创新的单元结构和专利的制造工艺，显著降低了导通损耗和开关损耗，从而提升了整体能效。这种架构特别注重在高电压下保持稳定的性能，为开关电源等应用提供了可靠的基础。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（V_DSS）高达500V，确保了在高压环境下的稳定运行和足够的电压裕量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）可达21A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻在10V驱动电压、10.5A电流条件下典型值仅为158毫欧，这意味着在导通状态下的功率损耗极低。同时，最大栅极电荷（Q_g）被控制在50nC（@10V），这一关键参数直接关系到开关速度的快慢和驱动电路的简易程度，较低的Q_g值有助于实现更高的开关频率并降低驱动损耗。

在接口与参数方面，该器件设计为标准的TO-220FP通孔封装，便于安装和散热。其栅极驱动电压（V_GS）标准为10V，最大可承受±25V，为驱动电路设计提供了灵活性。阈值电压V_GS(th)最大值为4V，提供了良好的噪声抑制能力。最大结温（T_J）为150°C，在壳温（T_C）下最大功耗为35W，结合其封装特性，使其能够适应要求较高功率密度的应用场景。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取正品器件和技术支持。

凭借其高耐压、低导通损耗和快速开关特性，STF28NM50N非常适用于对效率和可靠性有严苛要求的功率转换领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑、工业电机驱动和变频器中的逆变桥臂、以及不间断电源（UPS）和电焊机等设备的功率级。它是工程师在设计高效、紧凑型高压功率系统时的优选功率开关器件之一。

• 型号:STF28NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 21A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:158 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1735 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF28NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心规格包括500V的漏源电压（V_DSS）和21A（T_C=25°C）的连续漏极电流，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V驱动电压下，其导通电阻（R_DS(on)）典型值低至158毫欧（@10.5A），有效降低了导通损耗。同时，其栅极电荷（Q_g）最大值仅为50nC，这有助于实现快速的开关切换，从而降低开关损耗并提升系统效率。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和工业逆变器等高效能功率转换设计的理想选择。