STF2N62K3

STF2N62K3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面栅极结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_G）之间的出色平衡。这种核心架构旨在显著降低传导损耗和开关损耗，从而提升系统整体能效，尤其适用于对功率密度和热管理有较高要求的应用环境。

该MOSFET具备多项突出的功能特性。其额定漏源击穿电压（V_DSS）高达620V，为开关电源的初级侧或电机驱动电路提供了充裕的电压裕量，增强了系统的可靠性和抗浪涌能力。在导通特性方面，在10V驱动电压下，其最大导通电阻仅为3.6Ω（测试条件：I_D=1.1A），这有助于降低器件在导通状态下的功率损耗。同时，其栅极电荷（Q_G）典型值较低，约为15nC（@10V），结合适中的输入电容（C_iss），意味着它能够被快速驱动，减少开关过渡时间，从而有效降低高频开关应用中的开关损耗，并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与参数方面，STF2N62K3采用通孔安装的TO-220FP封装，这种封装形式在提供良好机械强度和便于手动焊接的同时，其塑封体设计也增强了电气绝缘性能。其最大连续漏极电流（I_D）在壳温（T_C）条件下为2.2A，最大栅源电压（V_GS）范围为±30V，提供了较宽的驱动安全窗口。器件的最大结温（T_J）可达150°C，结合20W（T_C）的功率耗散能力，赋予了其优秀的耐高温工作特性和功率处理潜力。用户可通过正规的ST授权代理获取完整的数据手册、应用笔记以及可靠的技术支持。

得益于其高耐压、低损耗和良好的热性能，STF2N62K3非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧功率开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及低功率电机驱动和逆变器等场景。在这些应用中，它能够帮助设计工程师实现更高效率、更小体积和更高可靠性的电源转换与电机控制解决方案。

• 型号:STF2N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 2.2A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 欧姆 @ 1.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:340 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF2N62K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH3产品系列。该器件核心优势在于其620V的高漏源击穿电压与优化的低栅极电荷特性，这使其在高压开关应用中能同时兼顾良好的耐压可靠性与高频开关效率。

其关键参数包括：在10V驱动下导通电阻最大值为3.6Ω，栅极电荷最大值仅为15nC，连续漏极电流可达2.2A（T_C）。这些参数共同指向了低导通损耗与低开关损耗的设计目标。器件采用TO-220FP通孔封装，最大结温150°C，功率处理能力出色，为工程师在紧凑空间内实现高效、可靠的功率转换提供了有力的元器件选择。