STF30N10F7

作为ST意法半导体旗下STripFET VII产品系列的一员，STF30N10F7是一款采用先进的DeepGATE技术构建的N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔TO-220FP封装，其核心架构旨在实现低导通损耗与高开关效率的平衡。通过优化的单元设计和制造工艺，它在给定的芯片面积内实现了优异的Rds(On)与栅极电荷(Qg)的比值，这是评估MOSFET开关性能的关键指标之一。

在功能特性上，该MOSFET的漏源击穿电压(Vdss)为100V，在壳温(Tc)条件下连续漏极电流(Id)可达24A，使其能够处理可观的功率水平。其导通电阻在10V驱动电压、16A电流条件下典型值仅为24毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和发热量。同时，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为4.5V，具备良好的噪声抑制能力，而最大栅极电荷(Qg)仅为19nC @ 10V，结合1270pF的输入电容，意味着它需要更少的能量来驱动，能够实现更快的开关速度并降低栅极驱动电路的负担。

从接口与参数来看，其驱动电压范围为标准的10V（以获得最小RdsOn），最大栅源电压(Vgs)为±20V，提供了安全的操作裕度。器件的功率耗散能力在壳温条件下为25W，结合其TO-220FP封装（带独立安装孔），有利于热管理。其宽泛的结温工作范围（-55°C至175°C）确保了其在苛刻环境下的可靠性。对于需要可靠元器件供应的项目，可以通过官方授权的ST代理渠道获取技术支持和供货信息。

基于其100V的耐压、较低的导通电阻和快速的开关特性，STF30N10F7非常适用于需要高效功率转换和控制的场合。典型的应用场景包括开关模式电源(SMPS)的初级侧或次级侧同步整流、DC-DC转换器、电机驱动控制板（如电动工具、风扇驱动）、以及各类工业领域的功率开关和负载切换电路。其设计在提升系统能效和功率密度的同时，也有助于简化热设计。

• 型号:STF30N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 16A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1270 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF30N10F7是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于采用DeepGATE技术的STripFET VII系列。该器件采用TO-220FP封装，核心参数包括100V的漏源电压(Vdss)和24A的连续漏极电流(Id)，具备处理中等功率水平的能力。

其关键优势在于优异的开关性能与低损耗特性。在10V栅极驱动下，导通电阻(Rds(On))典型值低至24毫欧@16A，能有效降低传导损耗。同时，其栅极电荷(Qg)最大值仅为19nC，结合1270pF的输入电容，确保了快速的开关瞬态响应，有助于提升开关电源和电机驱动等应用的效率与频率。宽结温范围（-55°C至175°C）为其在工业环境中的稳定运行提供了保障。