STF40NF20

STF40NF20是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220FP封装，专为高效率、高可靠性的功率开关应用而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，通过精细的沟槽栅极工艺，在保证高耐压的同时，显著降低了单位面积的导通损耗，从而实现了优异的电气性能与热性能。

该MOSFET的突出特性在于其200V的漏源击穿电压（Vdss）与高达40A的连续漏极电流（Id）能力，这使其能够从容应对工业级功率环境下的电压与电流应力。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、20A电流条件下典型值仅为45毫欧，这一低导通阻抗直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。此外，75nC的栅极电荷（Qg）与2500pF的输入电容（Ciss）处于优秀水平，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关应用，有助于简化驱动电路设计并提升功率密度。

在接口与参数方面，STF40NF20提供了宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C结温）和高达40W的功率耗散能力，结合TO-220FP封装良好的机械强度和散热特性，确保了器件在严苛环境下的长期稳定运行。其栅极驱动电压（Vgs）范围为±20V，阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，提供了充足的噪声容限和可靠的开关控制。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理商获取该产品及相关设计资源。

凭借其稳健的性能参数，这款MOSFET非常适合应用于要求高效率和高可靠性的领域。典型的应用场景包括开关模式电源（SMPS）的初级侧或次级侧整流与同步整流、电机驱动与控制电路（如无刷直流电机驱动）、不间断电源（UPS）的功率转换模块，以及各类工业逆变器和功率放大器。其平衡的电压、电流、开关特性与热性能，使其成为中高功率密度电源和驱动解决方案中一个值得信赖的功率开关选择。

• 型号:STF40NF20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 40A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:75 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 想获取STF40NF20的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STF40NF20是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP封装和先进的STripFET技术。其核心卖点在于优异的功率处理能力与效率平衡，具备200V的漏源电压和40A的连续漏极电流，能够满足中高功率应用的电气需求。

该器件在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至45毫欧（@20A），有效降低了导通状态下的功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）仅为75nC，输入电容（Ciss）为2500pF，这赋予了其快速的开关特性，有助于提升开关电源等应用的工作频率和整体效率。宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C TJ）和40W的功率耗散能力，进一步确保了其在各种环境下的可靠性与稳定性。