STWA68N60M6

STWA68N60M6是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh M6技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一芯片上实现了低导通电阻与低栅极电荷的卓越平衡，这使其在高压开关应用中能够显著降低传导损耗和开关损耗，从而提升整体系统效率。其核心架构通过精密的单元布局和先进的沟槽技术，确保了在600V高漏源电压下的稳定性和可靠性，为工程师在高功率密度设计中提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET的功能特性十分突出，其导通电阻（RDS(on)）在10V驱动电压、31.5A电流条件下典型值仅为41毫欧，这意味着在导通状态下的功率损耗极低。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在106nC，有助于实现快速开关并降低驱动电路的负担，这对于高频开关电源（SMPS）和电机驱动等应用至关重要。器件支持高达±25V的栅源电压，提供了宽裕的驱动安全裕度。其封装采用标准的TO-247长引线形式，具有良好的散热性能和通孔安装的机械可靠性，适合需要高功率耗散的应用场景。

在电气参数方面，STWA68N60M6的连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）25°C时可达63A，最大功率耗散为390W，工作结温范围宽达-55°C至150°C，展现了强大的电流处理能力和宽温工作适应性。其阈值电压Vgs(th)最大值为4.75V，具备良好的噪声免疫性。输入电容（Ciss）等动态参数也经过优化，以匹配现代高频控制器。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。

凭借600V的耐压和优异的开关性能，这款器件非常适用于工业级开关电源、功率因数校正（PFC）电路、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及工业电机驱动和焊接设备等应用场景。它在这些领域中能够有效提升能效等级，减小散热器尺寸，最终帮助系统设计实现更小的体积、更高的可靠性以及更低的总体拥有成本。

• 型号:STWA68N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 63A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):63A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:41 毫欧 @ 31.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:106 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4360 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:390W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• 封装/外壳:TO-247-3
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STWA68N60M6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装，属于其高性能MDmesh M6产品系列。该器件设计用于高压、大电流应用，其核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）以及在壳温25°C下达63A的连续漏极电流（Id）。

其技术亮点在于实现了低导通损耗与快速开关特性的结合。在10V栅极驱动下，导通电阻（RDS(on)）最大值仅为41毫欧 @ 31.5A，同时栅极总电荷（Qg）被控制在106nC @ 10V。这一特性组合使其在功率转换系统中能显著降低传导与开关损耗，提升效率。器件支持-55°C至150°C的宽结温范围工作，最大功耗为390W，为高功率密度和严苛环境下的设计提供了可靠保障。