STF34NM60N

STF34NM60N是意法半导体（STMicroelectronics）基于其第二代MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直结构设计，在单一硅片上实现了优化的单元密度与电荷平衡，其核心在于显著降低了单位面积下的导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）的乘积，即优值系数（FOM）。这种架构使得器件在高压开关应用中能够兼顾低导通损耗与快速的开关性能，有效提升了整体能效。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（Vdss）与31.5A的连续漏极电流（Id）能力，为其在高功率场景下的稳定运行提供了坚实基础。其导通电阻在10V驱动电压、14.5A测试条件下典型值仅为105毫欧，确保了在导通状态下的功耗处于较低水平。同时，栅极电荷（Qg）最大值控制在84nC，结合适中的输入电容，有助于简化驱动电路设计并降低开关过程中的驱动损耗，从而实现更高频率的开关操作。其栅源电压（Vgs）耐受范围为±25V，提供了良好的抗干扰能力。

在电气参数方面，STF34NM60N的阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，提供了明确的导通与关断逻辑电平。器件采用经典的TO-220FP通孔封装，这种封装形式具有良好的机械强度和散热特性，其最大功率耗散为40W（基于壳温Tc）。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）使其能够适应苛刻的环境要求。对于需要可靠供应链支持的批量项目，可以咨询专业的ST一级代理以获取元器件供应与技术支持。

凭借其高压、大电流与低损耗的特性，这款MOSFET非常适用于需要高效能量转换的离线式开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制器以及不间断电源（UPS）等工业与消费类电力电子系统。其设计旨在提升系统功率密度与可靠性，是工程师在构建600V级中高功率开关应用时的经典选择之一。

• 型号:STF34NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 31.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):31.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:105 毫欧 @ 14.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2722 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF34NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）和31.5A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的硬件基础。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的良好平衡。在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为105毫欧，能有效降低导通损耗。同时，最大84nC的栅极电荷（Qg）有利于实现快速开关并减少驱动损耗，从而提升整体系统效率。这些特性使其成为开关电源、电机驱动等高效能功率转换设计的理想选择。