STF3N62K3

STF3N62K3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺，通过优化的单元结构和沟槽设计，在硅片层面实现了高击穿电压与低导通电阻的卓越平衡。其核心架构旨在最大限度地降低传导损耗和开关损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。芯片内部集成了稳健的体二极管，并针对快速开关应用进行了优化，确保了在硬开关和软开关拓扑中的可靠性。

该MOSFET的突出特性在于其620V的高漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业级AC-DC电源中常见的电压应力与开关尖峰。在导通特性方面，其在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值较低，最大值仅为2.5欧姆（条件为1.4A，10V），这直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为13nC（@10V），结合385pF的输入电容（Ciss），意味着所需的驱动能量小，能够实现快速的开启与关断，有利于提高开关频率并简化栅极驱动电路的设计。

在封装与可靠性方面，STF3N62K3采用TO-220FP封装，这是一种广泛使用的通孔安装形式，具有良好的机械强度和散热能力。其最大结温（Tj）高达150°C，在壳温（Tc）条件下可支持2.7A的连续漏极电流和20W的功率耗散，展现了强大的热性能和工作鲁棒性。栅源电压（Vgs）支持±30V的最大范围，提供了足够的驱动安全裕量。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。

凭借这些综合特性，该器件非常适合应用于对效率和可靠性有严格要求的离线式开关电源（SMPS），例如辅助电源、LED驱动电源以及家用电器中的功率因数校正（PFC）电路。其高耐压和良好的开关性能也使其成为小功率电机驱动、镇流器和DC-AC逆变器等应用中的理想选择，为工程师设计紧凑、高效的功率解决方案提供了有力的核心组件支持。

• 型号:STF3N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 2.7A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 1.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:385 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF3N62K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH3产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心优势在于620V的漏源击穿电压（Vdss）与低至2.5欧姆的导通电阻（Rds(on)）的出色组合，有效降低了功率损耗。

此外，其极低的栅极电荷（Qg，最大13nC）确保了快速的开关速度，有助于提升系统效率并允许更高频率的操作。器件采用TO-220FP通孔封装，在壳温条件下支持2.7A连续电流和20W功耗，结温高达150°C，提供了优异的功率处理能力和热可靠性，适用于要求严苛的工业与消费类电源设计。