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2N6036

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS PNP DARL 80V 4A SOT-32
原厂封装:封装:SOT-32
优势价格,2N6036的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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2N6036的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

2N6036是ST意法半导体推出的一款PNP型达林顿功率晶体管,采用经典的TO-225AA(TO-126)通孔封装。其核心架构基于达林顿对管设计,由两个PNP晶体管直接耦合而成,这种结构在单级放大中实现了极高的电流增益,使其能够用极小的基极驱动电流控制大得多的集电极负载电流,特别适合作为高效的电流放大与开关控制元件。

该器件集成了多项关键特性以满足严苛的工业应用需求。高达80V的集电极-发射极击穿电压使其能够稳定工作在较高的电源电压下,为电机驱动、电源转换等应用提供了充足的电压裕量。最大4A的连续集电极电流处理能力,配合高达750(最小值@2A, 3V)的直流电流增益(hFE),意味着它仅需数毫安级的基极电流即可驱动安培级的负载,显著简化了前级驱动电路的设计。尽管其饱和压降在满额4A电流下典型值为3V,这在需要极低导通损耗的场合是需要考虑的折衷,但其达林顿结构带来的驱动便利性是其核心优势。对于需要可靠货源和技术支持的客户,可以通过授权的ST代理商进行咨询和采购。

在接口与参数方面,2N6036采用标准的三引脚(发射极、基极、集电极)通孔封装,便于在原型设计和需要高可靠性的板卡上进行焊接。其结温(TJ)最高可承受150°C,最大功耗为40W,这要求在实际应用中配合适当的散热措施以确保性能与长期可靠性。值得注意的是,其集电极截止电流最大为100A,体现了在关断状态下良好的漏电流控制能力。该器件已处于停产状态,在为新设计选型时需评估替代方案或库存情况。

基于其高电压、大电流及高增益的特性,2N6036的传统应用场景主要集中在需要中功率控制的领域。它常被用于线性稳压电源的调整管、音频放大器的输出级,以及继电器、电磁阀、直流电机的驱动电路中作为开关元件。其设计能够有效充当微控制器或逻辑芯片与大功率负载之间的缓冲接口,在工业自动化控制、汽车电子(如风扇控制)以及一些消费类电子产品的功率管理部分都能找到其用武之地。

  • 型号:2N6036
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:SOT-32
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS PNP DARL 80V 4A SOT-32
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:PNP - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):4 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):80 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):3V @ 40mA,4A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):100A
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):750 @ 2A,3V
  • 功率 - 最大值:40 W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3
  • 供应商器件封装:SOT-32
  • 想获取2N6036的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

2N6036是ST意法半导体生产的一款PNP达林顿功率晶体管,采用TO-126封装。其核心卖点在于结合了高电压与大电流处理能力,具备80V的集电极-发射极击穿电压和4A的连续集电极电流,能够胜任多种中功率开关与放大任务。

该器件通过达林顿结构实现了极高的电流增益,在2A电流、3V压降条件下,其直流电流增益(hFE)最小值可达750。这一特性使其能够以极小的基极驱动电流高效控制安培级负载,极大简化了前级驱动电路的设计。其最大功耗为40W,最高工作结温为150°C,适用于需要可靠功率接口的工业控制与驱动应用。

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