STP100N10F7

STP100N10F7是ST意法半导体基于其先进的STripFET VII技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的单元结构和制造工艺，旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能平衡。其核心架构集成了DeepGATE技术，通过增强栅极控制能力，有效降低了栅极电荷和米勒电容，从而提升了在高频开关应用中的效率与可靠性。这种设计使得器件在承受高电压和高电流的同时，能够保持优异的热稳定性和电气特性。

该MOSFET的显著功能特点包括高达100V的漏源击穿电压(Vdss)和80A的连续漏极电流(Id)承载能力。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻(Rds(on))典型值极低，在40A电流条件下最大值仅为8毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统能效。同时，其栅极电荷(Qg)最大值控制在61nC @ 10V，结合优化的输入电容特性，有助于减少开关过程中的能量损失，并简化栅极驱动电路的设计。其坚固的栅极可承受±20V的电压，提供了更宽的安全工作裕度。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取原厂正品和技术支持。

在电气参数方面，该器件设计用于严苛的工作环境，其结温工作范围覆盖-55°C至175°C，最大功率耗散能力达到150W（基于壳温）。其阈值电压Vgs(th)典型值适中，确保了稳定可靠的开启特性。采用经典的TO-220通孔封装，具有良好的机械强度和成熟的散热处理兼容性，便于安装在散热器上以管理由高功率操作产生的热量。这种封装形式也使其在原型设计和大规模生产中都具有很高的便利性。

凭借其高电压、大电流和低损耗的特性，STP100N10F7非常适合于要求高效率和高功率密度的应用场景。它常被用于开关模式电源(SMPS)的初级侧或次级侧整流与同步整流、电机驱动控制电路中的H桥或半桥拓扑、不间断电源(UPS)的功率转换模块，以及各类DC-DC转换器和逆变器设计中。在这些应用中，其优异的性能有助于提升整体系统的效率、功率密度和长期运行可靠性。

• 型号:STP100N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 100V 80A TO-220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:61 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4369 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP100N10F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于采用先进STripFET VII技术的产品系列。该器件核心优势在于其100V的漏源电压和高达80A的连续漏极电流处理能力，同时实现了极低的导通电阻（最大8毫欧 @ 40A, 10V），这显著降低了导通状态下的功率损耗。

此外，其优化的动态特性，如较低的栅极电荷（最大61nC）和坚固的±20V栅源电压耐受能力，确保了快速、高效的开关性能，并增强了驱动电路的鲁棒性。器件采用TO-220通孔封装，支持高达150W的功率耗散，工作结温范围宽达-55°C至175°C，适用于高可靠性要求的工业与汽车功率电子应用。