STN2NF10

STN2NF10是ST意法半导体基于其先进的STripFET II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用表面贴装型SOT-223封装，专为在紧凑空间内实现高效率的功率开关与控制而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，通过精密的半导体工艺，在硅片层面实现了优异的电荷控制与电流传导能力，为中等功率应用提供了一个可靠且高效的解决方案。

该MOSFET具备100V的漏源击穿电压(Vdss)和2.4A的连续漏极电流(Id)能力，确保了其在多种电路环境下的稳健性。一个关键的性能指标是其极低的导通电阻(Rds(on))，在10V栅极驱动电压(Vgs)和1.2A漏极电流条件下，最大值仅为260毫欧。这种低导通特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极电荷(Qg)最大值控制在14nC（@10V），结合适中的输入电容，有助于实现快速的开关切换并降低驱动电路的功耗，这对于高频开关应用尤为重要。

在电气接口与参数方面，STN2NF10的栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为4V，而栅源电压可承受±20V的范围，提供了良好的噪声容限和驱动灵活性。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，配合3.3W（Tc）的最大功率耗散能力，使其能够适应苛刻的环境条件。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过专业的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其平衡的电压、电流能力以及出色的开关性能，STN2NF10非常适合用于DC-DC转换器、电机驱动控制、电源管理模块以及各类负载开关电路。常见应用场景包括低压工业控制系统、消费类电子产品的电源部分、电池供电设备中的功率路径管理，以及需要高效能开关功能的自动化设备。其SOT-223封装形式也兼顾了功率处理能力与PCB板空间的经济性，是工程师在空间受限设计中实现高效功率控制的优选器件。

• 型号:STN2NF10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-223
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 2.4A SOT-223
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:260 毫欧 @ 1.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:280 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.3W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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STN2NF10是ST意法半导体推出的一款采用STripFET II技术的N沟道MOSFET，采用SOT-223表面贴装封装。该器件核心优势在于其100V的漏源电压(Vdss)和2.4A的连续漏极电流(Id)额定值，为中等功率应用提供了坚实的基础。

其性能亮点包括极低的导通电阻（最大值260毫欧 @ 10V， 1.2A），这能显著降低功率损耗并提升效率。同时，较低的栅极电荷（最大值14nC @ 10V）确保了快速的开关速度，有利于高频开关电源等应用。器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，并具备3.3W的功率耗散能力，保证了在多种环境下的可靠性与稳定性。