STD80N3LL

STD80N3LL是ST意法半导体推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造。该器件采用DPAK（TO-252）表面贴装封装，专为在紧凑空间内实现高功率密度和高效热管理而设计。其核心架构优化了单元密度和沟道迁移率，旨在实现极低的导通电阻与快速的开关特性，这对于现代高效率功率转换应用至关重要。

该MOSFET的突出特性在于其卓越的电流处理能力与极低的功率损耗。在壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流额定值高达80A，而漏源电压（Vdss）为30V，使其非常适合用于低压、大电流的开关场景。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、40A电流条件下最大值仅为5.2毫欧，这一极低的数值直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）典型值较低，最大值仅为2.5V，且最大栅极电荷（Qg）在4.5V条件下仅为18nC，这共同确保了器件能够被标准逻辑电平或低电压驱动器轻松、快速地驱动，从而减少开关损耗并提升开关频率潜力。

在接口与参数方面，STD80N3LL提供了宽广的工作温度范围（结温-55°C至175°C）和高达75W（Tc）的功率耗散能力，结合DPAK封装良好的热性能，保证了其在严苛环境下的可靠运行。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±20V，提供了足够的驱动安全裕量。对于需要可靠供应链和全面技术支持的客户，可以通过授权的ST一级代理获取该产品，确保原装正品和完整的应用支持。

基于上述技术特性，该器件主要面向高效率的DC-DC转换器、电机驱动控制、电池保护电路以及各类电源管理应用。例如，在同步整流、电动工具、无人机电调或服务器电源的负载点（POL）转换器中，其低Rds(on)和高电流能力能够显著降低能量损耗，提升功率密度。其稳健的性能和表面贴装形式也使其成为空间受限的汽车电子、便携式设备等应用中功率开关部分的理想选择。

• 型号:STD80N3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.2 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1640 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:75W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD80N3LL是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用DPAK表面贴装封装。其核心优势在于高达80A的连续漏极电流处理能力和极低的导通电阻，在10V Vgs、40A Id条件下，Rds(on)最大值仅为5.2毫欧，这能有效降低导通状态下的功率损耗，提升系统效率。

该器件具备优异的开关特性，其最大栅极电荷（Qg）低至18nC @ 4.5V，配合较低的栅极阈值电压，确保了快速开关速度和较低的驱动损耗，适用于高频开关应用。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，最大功率耗散为75W，提供了良好的热可靠性和环境适应性，是各类低压、大电流功率转换和电机驱动方案的可靠选择。