STF3NK100Z

STF3NK100Z是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了卓越的导通电阻与栅极电荷乘积（Rds(on)*Qg），这一指标是衡量高压MOSFET开关效率的关键品质因数。其核心架构旨在平衡高耐压与低损耗之间的矛盾，为高压开关应用提供了高效的解决方案。

该器件具备1000V的漏源击穿电压（Vdss），能够从容应对工业级应用中的高压应力和电压尖峰，确保了系统在恶劣电气环境下的长期可靠性。在导通特性方面，其在10V驱动电压、1.25A电流条件下的导通电阻典型值仅为6欧姆，配合极低的栅极电荷（Qg典型值为18nC），显著降低了开关过程中的导通损耗和驱动损耗，从而提升了整体能效。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±30V，提供了宽裕的驱动安全裕度，而最大4.5V的栅极阈值电压（Vgs(th)）则确保了与标准逻辑电平或PWM控制器的良好兼容性。

在封装与热管理方面，STF3NK100Z采用TO-220FP通孔封装，这种封装形式具有良好的机械强度和成熟的安装工艺。其最大功耗为25W（基于管壳温度Tc），结合封装本身优异的导热路径，便于通过散热器进行高效的热量管理，确保器件在高达150°C的结温（Tj）下稳定工作。其输入电容（Ciss）在25V条件下最大值为601pF，这一参数对于评估开关速度和驱动电路设计具有重要参考价值。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高耐压、低损耗和坚固的封装特性，该MOSFET非常适用于要求苛刻的离线式电源拓扑。其主要应用场景包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及工业电机驱动中的辅助电源等。在这些应用中，它能够有效提升电源转换效率，减小系统体积，并增强在高压环境下的鲁棒性，是工程师设计高效、紧凑型高压功率系统的优选器件之一。

• 型号:STF3NK100Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 欧姆 @ 1.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:601 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF3NK100Z是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心参数包括1000V的漏源电压（Vdss）和2.5A的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的动态性能平衡：在10V驱动下，导通电阻（Rds(on)）仅为6欧姆（@1.25A），同时栅极电荷（Qg）低至18nC（@10V）。这种低Rds(on)与低Qg的组合，能够显著降低导通损耗和开关损耗，提升系统整体效率。器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，最大功耗25W，确保了在严苛环境下的可靠性与稳定性。