STD4NK50ZD-1

ST意法半导体推出的STD4NK50ZD-1是一款采用N沟道技术设计的功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用通孔安装的I-PAK封装，其核心架构基于先进的平面工艺，通过优化的单元结构实现了高耐压与低导通电阻之间的良好平衡。其设计重点在于提升功率转换效率与开关性能，以满足中高压应用中对可靠性和能效的严格要求。

在电气特性方面，该器件具备500V的高漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对离线式电源、功率因数校正（PFC）等场合中常见的电压应力和开关尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为3A，结合最大仅2.7欧姆的导通电阻（Rds(on)）（测试条件为1.5A，10V），有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率。其栅极驱动设计兼容性强，标准10V驱动电压即可确保完全开启，而栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，提供了充足的噪声容限。

该MOSFET的动态特性同样经过优化。栅极总电荷（Qg）最大值仅为12nC（@10V），输入电容（Ciss）最大值为310pF（@25V），这些低电荷参数显著降低了开关过程中的驱动损耗，有利于实现更高频率的开关操作，并简化栅极驱动电路的设计。其栅源电压（Vgs）可承受±30V的范围，增强了应用的鲁棒性。器件最大功率耗散为45W（Tc），工作结温范围宽广，从-55°C延伸至150°C，确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过正规的ST芯片代理获取相关技术资料与库存信息。

基于其性能参数，STD4NK50ZD-1非常适用于需要高效功率管理的场景。它常被用于开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、照明系统的电子镇流器、以及家用电器和工业设备中的电机驱动辅助电路。其高耐压特性使其成为离线式反激、正激等拓扑的理想选择，而良好的开关特性则有助于提升电源的功率密度。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计所体现的技术思路和性能指标，仍为后续产品开发与现有系统维护提供了重要参考。

• 型号:STD4NK50ZD-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 3A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.7 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:310 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STD4NK50ZD-1是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用I-PAK通孔封装。其核心优势在于结合了500V的高漏源电压与低至2.7欧姆的导通电阻，在保证高耐压可靠性的同时，有效降低了导通损耗。

器件具备优异的动态性能，最大栅极电荷仅为12nC，有助于实现高效率的快速开关，减少驱动损耗。其设计支持10V标准驱动，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于对效率和鲁棒性有要求的功率转换场景。