STP3HNK90Z

STP3HNK90Z是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高耐压与低导通电阻的良好平衡。其核心架构旨在为高压开关应用提供坚固可靠的性能基础，确保在严苛的电气环境下稳定工作。

这款MOSFET的显著特性在于其800V的高漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业电源、照明驱动等场合中常见的电压尖峰和浪涌，提升了系统的鲁棒性。在导通特性方面，其在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值较低，有助于减少导通状态下的功率损耗，提升整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为35nC，结合适中的输入电容（Ciss），意味着开关过程中的驱动损耗较低，有利于实现更高频率的开关操作并简化驱动电路的设计。

在电气参数上，STP3HNK90Z在壳温（Tc）条件下可连续通过3A的漏极电流，最大功率耗散能力达到90W，展现了较强的功率处理能力。其栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值设计为4.5V，提供了良好的噪声抑制能力，而±30V的最大栅源电压则赋予了驱动电路更宽的安全裕度。器件采用经典的TO-220AB通孔封装，具有良好的机械强度和散热性能，便于安装在散热器上以管理热耗散。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于宽温度环境下的应用。对于需要获取官方技术支持和供货信息的用户，可以咨询ST中国代理。

凭借上述特性，该器件非常适用于需要高压开关和高效能转换的领域。典型应用包括离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电子镇流器以及工业电机驱动中的辅助电源部分。其高耐压和良好的开关特性使其在诸如LED照明驱动、家用电器电源模块等对成本与可靠性有较高要求的场合中，曾是经过市场验证的解决方案之一。

• 型号:STP3HNK90Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 3A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.2 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:690 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP3HNK90Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心规格包括800V的漏源电压（Vdss）和3A的连续漏极电流（Tc条件下），设计用于高耐压开关场景。

其技术亮点在于平衡了高压与导通性能，在10V驱动电压下具有较低的导通电阻，同时栅极电荷（Qg）最大值控制在35nC，有助于降低开关损耗并提升效率。器件支持-55°C至150°C的宽结温工作范围，最大功率耗散为90W（Tc），适用于对可靠性和热管理有要求的工业级应用。