STB9NK90Z

STB9NK90Z是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的卓越平衡。其核心在于通过创新的单元结构和工艺技术，显著降低了单位面积下的导通电阻（Rds(on)），同时保持了出色的开关特性与坚固性，为高电压开关应用提供了可靠的单管解决方案。

该MOSFET具备900V的高漏源击穿电压（Vdss），能够从容应对工业电源、电机驱动等场合中常见的电压应力和尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为8A，结合仅1.3欧姆（@10V Vgs, 3.6A Id）的最大导通电阻，确保了在导通期间具有较低的功率损耗，有助于提升系统整体效率。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，且栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，提供了充足的噪声容限。

在动态特性方面，STB9NK90Z的栅极总电荷（Qg）典型值较低，在10V Vgs下最大为72nC，这有助于降低开关过程中的驱动损耗，并允许使用更简洁、成本更优的驱动电路。其输入电容（Ciss）特性也经过优化，有利于实现更快的开关速度。器件采用坚固的D2PAK（TO-263）表面贴装封装，在壳温（Tc）下最大功率耗散能力达160W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的长期稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取正品器件及相关技术支持。

凭借其高耐压、低导通电阻和良好的开关性能，这款MOSFET非常适用于要求高效率和高可靠性的离线式开关电源（SMPS）功率因数校正（PFC）级、反激或正激变换器的主开关、工业电机驱动与逆变器、不间断电源（UPS）以及电子镇流器等应用场景。它是工程师在设计下一代高效能电力电子系统时，一个值得信赖的高性能功率开关选择。

• 型号:STB9NK90Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 8A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 欧姆 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2115 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB9NK90Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用表面贴装型D2PAK封装，核心规格包括900V的漏源电压（Vdss）和8A的连续漏极电流（Id），为高电压应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的导通特性上，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为1.3欧姆，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，优化的栅极电荷（Qg最大72nC）和宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C结温），使其在要求快速开关和可靠性的严苛环境中表现出色。