STF57N65M5

作为ST意法半导体MDmesh V产品系列中的一员，STF57N65M5是一款采用先进垂直结构设计的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的单元布局和创新的制造工艺，旨在实现高阻断电压与低导通电阻之间的出色平衡。该器件采用了TO-220FP封装，这种封装在提供良好散热性能的同时，也确保了在通孔安装应用中的机械稳固性。

这款MOSFET的显著特性在于其卓越的电气性能。它具备650V的高漏源击穿电压（Vdss），使其能够从容应对工业级应用中的电压应力和开关浪涌。在导通特性方面，其在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至63毫欧（@21A），这直接转化为更低的传导损耗和更高的整体系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为98nC，结合4200pF的输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，有利于提升高频开关电源的性能。

在接口与参数层面，STF57N65M5设计稳健。其栅源电压（Vgs）支持±25V的最大值，提供了宽裕的安全裕度。器件在壳温（Tc）条件下可承受高达42A的连续漏极电流，最大功率耗散为40W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的可靠运行。对于需要本地技术支持和稳定供货渠道的设计者，可以联系ST中国代理获取详细的产品资料与设计协助。

基于其高电压、低损耗和快速开关的特性组合，该器件非常适合于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主逆变桥、工业电机驱动与变频器、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变器中的功率转换部分。在这些领域中，它能够有效提升能效等级，减少散热需求，并有助于实现更紧凑的系统设计。

• 型号:STF57N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 42A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):42A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:63 毫欧 @ 21A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:98 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4200 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF57N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V系列。该器件采用TO-220FP封装，核心优势在于其650V的高漏源电压与低至63毫欧（@21A, 10V）的导通电阻的优异结合，旨在最大限度地降低传导损耗。

此外，其98nC的低栅极电荷有助于实现快速开关，减少开关损耗，提升系统效率。在壳温条件下，器件支持42A的连续电流和40W的功率耗散，工作结温范围宽达-55°C至150°C，为工业级电源转换和电机控制应用提供了可靠且高效的解决方案。