STL13N60M6

STL13N60M6是ST意法半导体基于其先进的MDmesh M6技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，其核心在于通过创新的单元结构和外延层工艺，在保持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)）。这种架构设计有效平衡了开关损耗与传导损耗之间的矛盾，为实现高效率的功率转换奠定了物理基础。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（V_DSS），能够从容应对工业级AC-DC电源及电机驱动中常见的电压应力和开关尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值为7A，结合仅415mΩ（典型条件下）的低导通电阻，确保了在导通期间具有较低的功率损耗，从而提升系统整体能效。其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为4.75V，并与10V的推荐驱动电压配合，提供了良好的噪声抑制能力和易驱动特性，同时栅-源电压（V_GS）可承受±25V，增强了应用的鲁棒性。

在封装与接口方面，STL13N60M6采用了专为高压应用优化的PowerFlat HV（5x6）表面贴装封装。这种紧凑型封装不仅减小了PCB占板面积，其低轮廓特性也有利于实现更薄的设计，同时其优化的引脚布局和散热金属焊盘有助于将芯片产生的热量高效导出至PCB，在壳温（T_C）条件下最大功耗可达52W。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于严苛的环境。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

得益于其高电压、低损耗和紧凑封装的特性组合，这款器件非常适合于要求高功率密度和高可靠性的应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关、照明镇流器、工业电机驱动和变频器中的功率开关部分，以及UPS（不间断电源）和太阳能逆变器等新能源转换设备。在这些应用中，它能够有效提升系统的转换效率，并凭借其坚固性保障长期稳定运行。

• 型号:STL13N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7A POWERFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:415 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:509 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:52W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）HV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL13N60M6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M6产品系列。该器件设计用于高压开关应用，核心特性包括600V的漏源电压（V_DSS）和7A的连续漏极电流（I_D）能力。

其技术优势在于实现了低导通电阻（R_DS(on)）与高开关性能的平衡，有助于降低传导损耗，提升系统效率。器件采用节省空间的PowerFlat HV表面贴装封装，具有良好的散热特性，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性。