STI10N62K3

意法半导体推出的STI10N62K3是一款采用SuperMESH3技术的N沟道功率MOSFET，代表了高压开关应用领域的一项成熟解决方案。该器件采用通孔I2PAK封装，其核心设计旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。通过先进的单元结构和工艺优化，它在维持高阻断电压的同时，有效降低了单位面积的导通电阻，这对于提升系统整体效率至关重要。

该MOSFET具备620V的漏源击穿电压（Vdss），能够从容应对工业电源、电机驱动等场合中常见的电压应力和开关尖峰。在导通特性方面，其最大导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、4A电流条件下仅为750毫欧，较低的导通损耗直接转化为更少的热量产生和更高的能效。其栅极电荷（Qg）典型值较低，有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计，使开关频率得以提升。此外，器件支持±30V的宽栅源电压范围，提供了较强的抗栅极噪声干扰能力。

在电气参数上，STI10N62K3在壳温（Tc）条件下可承受8.4A的连续漏极电流，最大功率耗散能力为125W。其输入电容（Ciss）特性与栅极电荷共同决定了开关动态性能。器件拥有宽广的工作结温范围（-55°C至150°C），确保了在苛刻环境下的可靠运行。对于需要获取此型号技术资料或库存支持的开发者，可以咨询专业的ST授权代理以获取详细信息。

基于其高压、低损耗及稳健的封装特性，该器件非常适用于要求高可靠性和高效率的应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）和主开关拓扑、工业电机驱动与控制器中的逆变桥臂、以及不同断电源（UPS）和电子镇流器等功率转换系统。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设计和备件供应中，它依然是一个经过市场验证的关键组件。

• 型号:STI10N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 8.4A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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STI10N62K3是ST意法半导体SuperMESH3产品系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用I2PAK通孔封装。其核心电气特性包括620V的漏源电压（Vdss）以及在10V Vgs、4A Id条件下最大750毫欧的导通电阻，实现了高耐压与低导通损耗的良好结合。

该器件在壳温条件下额定连续漏极电流为8.4A，最大功率耗散125W，并支持-55°C至150°C的宽工作结温范围。其较低的栅极电荷和输入电容有助于优化开关性能。这些参数使其成为适用于中高功率开关电源、电机驱动及各类功率转换电路的稳健选择。