STF5NK100Z

STF5NK100Z是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的TO-220FP封装，专为高电压、高效率的开关应用而设计。其核心架构通过优化的单元结构和沟槽工艺，在维持高阻断电压能力的同时，显著改善了导通电阻与栅极电荷之间的权衡关系，这是实现低开关损耗和高频工作性能的关键。

该器件具备1000V的漏源击穿电压（Vdss），为离线式电源、工业电机驱动等应用提供了充裕的电压裕量，增强了系统的可靠性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为3.5A，结合仅3.7欧姆的最大导通电阻（Rds(on)）（测试条件为Vgs=10V, Id=1.75A），确保了在导通状态下的低功率耗散，有助于提升整体能效。其栅极驱动特性经过精心优化，最大栅源电压（Vgs）为±30V，栅极阈值电压（Vgs(th)）典型值较低，而最大栅极电荷（Qg）控制在59nC（Vgs=10V），这有助于简化驱动电路设计，并实现快速、干净的开关切换，从而降低开关噪声和电磁干扰（EMI）。

在电气参数方面，STF5NK100Z展现了全面的性能平衡。其输入电容（Ciss）在25V Vds下最大值为1154pF，与较低的Qg共同决定了快速的开关响应。器件的最大功率耗散能力为30W（Tc），宽泛的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，使其能够适应苛刻的环境条件。TO-220FP封装提供了良好的机械强度和热性能，便于通过散热器进行高效的热管理。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高耐压、低导通损耗和良好的开关特性，STF5NK100Z非常适用于要求严苛的功率转换领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及工业逆变器和电机控制中的高压侧开关。在这些场景中，它能够有效提升电源密度和系统效率，是工程师设计高性能、高可靠性功率系统的优选器件之一。

• 型号:STF5NK100Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 3.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.7 欧姆 @ 1.75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:59 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1154 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF5NK100Z是ST意法半导体推出的一款采用SuperMESH3技术的N沟道功率MOSFET，封装形式为TO-220FP。该器件核心优势在于其1000V的高漏源电压（Vdss）额定值与3.7欧姆的低导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这使其在高电压开关应用中能有效降低导通损耗，提升能效。

在开关性能方面，其最大栅极电荷（Qg）仅为59nC，配合10V的标准驱动电压，有助于实现快速开关并简化驱动电路设计。器件在25°C壳温下可承受3.5A的连续漏极电流，最大功率耗散为30W，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在多种环境下的稳定性和可靠性。这些特性使其成为离线电源、工业控制等高压功率转换应用的理想选择。