STF5NK52ZD

STF5NK52ZD是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直沟槽栅极结构，通过优化的单元密度和独特的掺杂工艺，在硅片层面实现了高耐压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心设计目标是在520V的高漏源电压（Vdss）等级下，提供高效的功率开关性能，同时保持良好的动态特性与热稳定性，以满足严苛的工业应用需求。

该MOSFET的显著特性在于其优异的导通电阻（Rds(on)）性能，在10V栅极驱动电压（Vgs）和2.2A漏极电流（Id）条件下，典型值仅为1.5欧姆。这一特性直接转化为更低的传导损耗，有助于提升系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为16.9nC，配合适中的输入电容（Ciss），意味着器件在开关过程中所需的驱动能量较低，有助于简化驱动电路设计并降低开关损耗，尤其适用于中频开关应用。其栅源电压（Vgs）耐受范围宽达±30V，提供了较强的抗干扰能力。

在电气参数方面，STF5NK52ZD在壳温（Tc）25°C下的连续漏极电流（Id）额定值为4.4A，最大功率耗散为25W。其阈值电压（Vgs(th)）最大值设计为4.5V，确保了良好的噪声抑制和抗误触发能力。器件采用通孔安装的TO-220FP封装，这种封装形式在提供良好散热路径的同时，也兼顾了机械强度和空间利用率，便于在标准PCB上进行布局和安装。用户可以通过授权的ST代理商获取详细的技术资料和库存信息。

凭借520V的高耐压和优化的开关特性，这款器件主要面向需要可靠高压开关和高效能量转换的应用场景。典型应用包括离线式开关电源（SMPS）的初级侧功率开关、功率因数校正（PFC）电路、电子镇流器以及工业电机驱动和辅助电源中的逆变器桥臂。其稳健的设计使其能够在-55°C至150°C的宽结温（TJ）范围内稳定工作，适用于环境条件较为复杂的工业与消费类电子设备。

• 型号:STF5NK52ZD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 520V 4.4A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:520 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:529 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF5NK52ZD是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件设计用于提供高效的高压开关解决方案，其核心电气规格包括520V的漏源击穿电压（Vdss）和4.4A的连续漏极电流（Id）能力。

其技术优势体现在优异的导通特性与开关性能的平衡上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至1.5欧姆，有助于最小化传导损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值16.9nC）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗。器件采用TO-220FP通孔封装，提供良好的热管理能力，适用于要求高可靠性的功率转换应用。