STF7NM80

STF7NM80是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡，其核心在于通过创新的单元布局和工艺技术，显著降低了单位面积下的导通电阻（Rds(on)），同时保持了优异的开关特性与坚固性，为高效能功率转换应用提供了可靠的半导体解决方案。

该MOSFET具备800V的漏源击穿电压（Vdss），能够从容应对工业及消费类电源中常见的电压应力和开关尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为6.5A，结合仅1.05欧姆（@10V Vgs, 3.25A Id）的最大导通电阻，确保了在导通期间具有较低的功率损耗，直接提升了系统的整体能效。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，且最大栅极电荷（Qg）控制在18nC，这有助于简化驱动电路设计并降低开关损耗，特别适合高频开关应用。

在电气参数方面，STF7NM80展现了全面的可靠性。其栅源电压（Vgs）最大可承受±30V，提供了较强的抗干扰能力。输入电容（Ciss）最大值为620pF，与较低的Qg值共同贡献了快速的开关响应。器件采用通孔安装的TO-220FP封装，这种封装在提供良好散热性能的同时，也兼顾了机械强度，其最大功率耗散能力为25W（Tc），工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取产品与相关服务。

凭借其高耐压、低导通电阻和良好的开关性能，这款器件非常适用于需要高效、紧凑设计的离线式开关电源（SMPS），如PC电源、适配器、LED驱动电源等。此外，它在功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制、不间断电源（UPS）以及工业照明镇流器等应用中，也能作为核心开关元件，有效提升系统功率密度和可靠性，满足现代电子设备对能效日益严格的要求。

• 型号:STF7NM80
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.05 欧姆 @ 3.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:620 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF7NM80是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件核心规格为800V漏源电压（Vdss）和6.5A连续漏极电流（Id），采用TO-220FP通孔封装，具备坚固的物理特性与宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C TJ）。

其技术优势在于实现了低导通损耗与快速开关特性的结合。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为1.05欧姆，同时最大栅极电荷（Qg）低至18nC，这有助于降低导通和开关过程中的能量损耗，提升电源系统的整体效率。最大功率耗散为25W（Tc），确保了良好的热性能。

这些特性使其成为设计高效、高可靠性离线开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路以及电机控制等应用的理想选择，为工程师提供了在高压、高功率场景下优化能效与成本的优质解决方案。