STP3LN80K5

STP3LN80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh K5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一芯片上实现了高耐压与低导通电阻的出色平衡。其核心在于第二代超级结（Super-Junction）技术的演进，通过精密的电荷平衡工艺，显著降低了单位面积下的导通损耗，同时保持了快速开关特性，为高效能功率转换提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET的突出特性在于其800V的漏源击穿电压（Vdss）与仅为3.25欧姆的导通电阻（Rds(on)）。在10V栅极驱动电压、1A漏极电流的典型条件下，这一低导通电阻值直接转化为更低的热损耗，提升了系统整体效率。其栅极电荷（Qg）典型值低至2.63nC，结合102pF的输入电容（Ciss），意味着器件在开关过程中所需的驱动能量更少，这不仅简化了驱动电路设计，还有助于实现更高频率的开关操作，减少磁性元件的体积和成本。

在电气参数方面，STP3LN80K5在25°C壳温下可连续通过2A电流，最大功率耗散为45W。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±30V，提供了较强的抗干扰能力。阈值电压Vgs(th)最大值为5V，确保了在噪声环境下的稳定关断。器件采用经典的TO-220通孔封装，具有良好的机械强度和散热性能，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于严苛的工业环境。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理商获取该产品及相关设计资源。

凭借高耐压、低损耗和快速开关的综合性优势，这款器件非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及工业电机驱动中的辅助电源等场景。它是工程师在构建紧凑、高效、可靠的AC-DC或DC-DC功率转换系统时，针对中低功率段的一个高性价比选择。

• 型号:STP3LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 800V 2A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.25 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.63 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:102 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP3LN80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件采用TO-220封装，核心规格为800V漏源电压（Vdss）和2A连续漏极电流（Id），专为要求高耐压和高效能的功率开关应用而设计。

其技术亮点在于实现了低导通电阻（典型值3.25Ω @ 10V）与低栅极电荷（典型值2.63nC @ 10V）的优化组合。这一特性使得它在开关过程中兼具低导通损耗和快速的开关速度，有助于提升电源系统的转换效率并允许更高的工作频率。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在各类环境下的稳定性和可靠性。