STF80N10F7

STF80N10F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的STripFET VII技术平台构建。该技术通过优化单元结构和沟槽栅极设计，在单位面积内实现了更低的导通电阻和更优的开关性能，其核心在于显著降低了器件的固有损耗。作为DeepGATE系列的一员，该器件在栅极氧化层工艺上进行了强化，提升了长期工作的可靠性与栅极耐压能力，使其在苛刻的开关环境中能保持稳定的电气特性。

该器件在电气性能上表现突出，其最大导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、40A电流条件下仅为10毫欧，这一低阻抗特性直接转化为导通期间更低的热损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在45nC（@10V），结合适中的输入电容，有助于降低开关过程中的驱动损耗，并简化栅极驱动电路的设计，实现快速、干净的开关切换。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±20V，为驱动电平提供了充足的裕量，增强了系统的鲁棒性。

在接口与参数方面，STF80N10F7定义了100V的漏源击穿电压（Vdss）和40A的连续漏极电流（Id）能力，使其能够胜任中高功率等级的开关任务。其采用经典的TO-220FP封装，这种通孔安装形式具有良好的机械强度和散热特性，便于通过散热器将芯片结温（TJ）控制在-55°C至175°C的宽广工作范围内，最大功率耗散为30W。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取详细的技术支持与供货信息。

基于其性能组合，该MOSFET非常适合应用于要求高效率和高可靠性的功率转换领域。典型的应用场景包括开关模式电源（SMPS）中的初级侧或次级侧同步整流、DC-DC转换器中的功率开关、电机驱动控制电路以及各类工业级逆变器模块。其优异的Rds(on)与Qg平衡特性，使其在追求能效和功率密度的现代电子系统中成为一个值得考虑的高性能解决方案。

• 型号:STF80N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 40A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3100 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF80N10F7是ST意法半导体基于STripFET VII技术制造的N沟道功率MOSFET。该器件核心优势在于其卓越的导通性能，在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至10毫欧（@40A），能有效降低导通损耗，提升系统整体效率。

其电气参数设计均衡，具备100V的漏源电压（Vdss）和40A的连续漏极电流（Id）处理能力。同时，优化的栅极电荷（Qg，最大45nC @10V）确保了快速的开关响应和较低的驱动损耗。器件采用TO-220FP封装，工作结温范围宽达-55°C至175°C，适用于对可靠性和热管理有较高要求的功率开关应用。