STF9NK60ZD

STF9NK60ZD是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperFREDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面MOSFET架构，通过优化的单元设计和制造工艺，在600V的高压等级下实现了导通电阻与栅极电荷的良好平衡。其核心在于通过降低单位面积的导通电阻（Rds(on)）来减小传导损耗，同时控制栅极电荷（Qg）以优化开关性能，这对于提升电源系统的整体效率至关重要。

该器件具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）高达600V，为离线式开关电源（SMPS）等应用提供了充足的电压裕量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为7A，能够处理可观的功率等级。其导通电阻在10V栅极驱动电压、3.5A漏极电流条件下典型值较低，有助于降低导通状态下的功率损耗。此外，其栅极阈值电压（Vgs(th)）典型值适中，确保了良好的噪声免疫能力和驱动简易性，而最大±30V的栅源电压范围则为驱动电路设计提供了灵活性。

在动态参数方面，STF9NK60ZD的栅极总电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过优化，有助于实现快速的开关转换，从而降低开关损耗，尤其适用于高频开关应用。其采用TO-220FP封装，这是一种带散热片的通孔安装封装，具有良好的机械强度和热性能，便于通过散热器将芯片产生的热量有效导出，其最大功率耗散能力在壳温条件下为30W。该器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的可靠性。对于需要获取该器件技术资料或库存信息的用户，可以咨询ST中国代理以获取进一步支持。

凭借其高压、低损耗和坚固的封装特性，STF9NK60ZD非常适合应用于需要高效功率转换和控制的领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及电机驱动控制等。在这些应用中，它能够作为核心开关元件，有效提升系统的能源利用效率和功率密度。尽管其零件状态标注为停产，但在许多现有设备和备件维修市场中，它仍然是一款经过验证的、可靠的功率半导体解决方案。

• 型号:STF9NK60ZD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:950 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1110 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF9NK60ZD是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperFREDmesh产品系列。该器件采用TO-220FP通孔封装，核心额定参数为600V漏源电压（Vdss）与7A连续漏极电流（Id），为高压功率开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与优化开关特性的结合。在10V栅极驱动下，其导通电阻表现优异，有助于最小化传导损耗。同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过精心设计，有利于实现快速的开关速度，从而降低开关损耗，提升系统在较高频率下的工作效率。这些特性使其成为开关电源、功率转换及电机控制等应用中追求效率与可靠性的理想选择。