STFH24N60M2

STFH24N60M2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh M2技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一硅片上实现了超结（Super-Junction）效应，通过精心设计的电荷平衡技术，显著降低了单位面积下的导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）的乘积，即优值系数（FOM）。这一核心架构使得器件在保持高阻断电压能力的同时，大幅提升了开关效率与功率密度，为高频开关应用提供了理想的解决方案。

得益于MDmesh M2技术，该MOSFET展现出卓越的性能特点。其漏源击穿电压（Vdss）高达600V，确保了在工业级AC-DC转换、电机驱动等高压环境下的可靠运行。在25°C壳温（Tc）下，连续漏极电流（Id）额定值达到18A，具备强大的电流处理能力。尤为关键的是，在10V栅源驱动电压（Vgs）、9A漏极电流条件下，其导通电阻典型值仅为190毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗。同时，其栅极总电荷（Qg）在10V条件下最大值为29nC，结合1060pF的输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，有助于提升系统整体能效。

该器件采用标准的TO-220FP绝缘封装，这种通孔安装形式提供了良好的机械强度和散热能力，其最大功率耗散为35W（Tc）。其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电平为10V，最大可承受±25V的栅源电压，增强了设计的灵活性。工作结温范围覆盖-55°C至150°C，使其能够适应严苛的工业环境。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST芯片代理渠道进行采购与咨询。

综合其高压、低导通电阻、快速开关的特性，STFH24N60M2非常适用于要求高效率和高可靠性的功率转换领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、不间断电源（UPS）以及电焊机等设备中的功率开关部分。它是工程师在设计下一代高效、紧凑型功率电子系统时的优选功率器件。

• 型号:STFH24N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STFH24N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心额定参数为600V漏源电压（Vdss）与18A连续漏极电流（Id），专为高压、大电流的开关应用而设计。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能上。在10V驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至190毫欧（@9A），有效降低了导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大29nC @10V）确保了快速的开关瞬态，有助于提升系统工作频率与整体能效。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和能源转换系统中关键功率开关的理想选择。