STFI10LN80K5

STFI10LN80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh K5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔安装的I2PAKFP（TO-281）封装，专为高电压、高效率的功率转换应用而设计。其核心在于优化的垂直架构，通过精细的单元设计和创新的工艺技术，在800V的高漏源电压（Vdss）规格下，实现了导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）之间的出色平衡，从而有效降低了导通损耗和开关损耗。

该MOSFET具备多项关键电气特性，使其在高压环境中表现卓越。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下可达8A，为功率传输提供了坚实基础。在驱动方面，10V的栅极驱动电压即可确保器件在4A电流下实现630毫欧的最大导通电阻，这有助于简化驱动电路设计并提升系统可靠性。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V，提供了良好的噪声抑制能力。开关性能的优化尤为显著，在10V Vgs条件下，最大栅极电荷（Qg）仅为15nC，配合427pF（@100V）的最大输入电容（Ciss），共同确保了快速、干净的开关瞬态，这对于提升开关电源的效率和频率至关重要。器件的栅源电压（Vgs）可承受±30V，增强了应用的鲁棒性。其最大功率耗散为20W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于严苛的工业环境。对于需要获取此型号技术支持和供货信息的用户，可以联系ST中国代理进行咨询。

在应用层面，STFI10LN80K5的高压、低损耗特性使其成为离线式开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及工业电机驱动等领域的理想选择。其I2PAKFP封装提供了良好的散热性能和通孔安装的机械稳定性，非常适合需要高可靠性的电源板卡设计。尽管该产品目前已处于停产状态，但其代表的技术路径和性能参数，对于理解高压MOSFET的设计权衡以及现有系统的维护与替代选型，仍具有重要的参考价值。

• 型号:STFI10LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 8A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:630 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:427 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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STFI10LN80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件采用I2PAKFP（TO-281）通孔封装，核心规格为800V漏源电压（Vdss）和8A的连续漏极电流（Id），专为应对高压、高功率应用挑战而设计。

其技术优势体现在优异的开关与导通性能平衡上。在10V驱动电压下，最大导通电阻（Rds(on)）仅为630毫欧（@4A），有效降低了导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值15nC @10V）和输入电容确保了快速的开关速度，有助于提升系统整体效率与工作频率。这些特性使其非常适用于开关电源、功率因数校正及工业驱动等对效率和可靠性要求苛刻的场合。