STB25NM60ND

STB25NM60ND是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的FDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其核心在于通过改进的单元布局和沟槽栅极工艺，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时保持了优异的开关特性。这种架构使得器件在高压开关应用中能够有效管理功率损耗，提升整体能效。

该MOSFET的突出特性包括高达600V的漏源击穿电压（Vdss）和在结温（Tc）25°C下21A的连续漏极电流能力。其导通电阻在10V驱动电压、10.5A测试条件下典型值仅为160毫欧，这直接转化为更低的传导损耗。此外，栅极总电荷（Qg）最大值控制在80nC，结合2400pF的输入电容（Ciss），有助于实现快速的开关转换，减少开关过程中的能量损失，并简化栅极驱动电路的设计。其最高工作结温为150°C，采用D2PAK（TO-263）表面贴装封装，提供了良好的功率处理能力和散热特性，在典型应用中可通过160W的功率耗散能力。

在接口与参数方面，该器件设计为标准的N沟道增强型MOSFET，栅极驱动电压范围宽，最大可承受±25V的栅源电压，为驱动电路提供了设计裕量。其阈值电压Vgs(th)最大值为5V，确保了良好的噪声免疫能力。这些电气参数共同定义了一个适用于高效率、高可靠性功率转换场景的开关元件。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理获取相关产品信息与供应链服务。

STB25NM60ND主要面向中高功率的离线式开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制器以及不间断电源（UPS）等应用领域。其600V的耐压值使其非常适合用于基于整流后市电（~85-265V AC）的拓扑结构，如反激、正激或半桥式转换器。在电机驱动中，它能有效用于逆变桥臂，实现直流到交流的转换。尽管该产品已进入停产状态，但其成熟的设计和可靠的性能使其在诸多现有设备和方案中仍是关键组件，适用于对成本与性能有综合考量的升级或维护项目。

• 型号:STB25NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB25NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh II产品系列。该器件采用表面贴装型D2PAK封装，核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和25°C下21A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的导通与开关性能上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为160毫欧，有助于显著降低传导损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值80nC）和输入电容（Ciss）优化了开关速度与驱动效率，使得整体功率耗散能力达到160W（Tc），最高工作结温为150°C。这些特性使其成为开关电源、电机驱动及功率转换系统中追求高效率与可靠性的理想选择。