STD85N3LH5

STD85N3LH5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面栅极结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了卓越的导通电阻与栅极电荷乘积（Rds(on) * Qg），这一关键品质因数（FOM）的优化，直接转化为系统在开关应用中更低的导通损耗和开关损耗。其核心设计旨在为低压、大电流应用提供高效率的功率开关解决方案。

该MOSFET的突出特性在于其极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、40A漏极电流条件下，Rds(on)典型值仅为5毫欧，这确保了在导通状态下极低的功率耗散。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在14nC（@5V），较低的栅极电荷需求简化了驱动电路设计，并有助于实现高频下的快速开关，提升整体转换效率。器件支持高达±22V的栅源电压，提供了较强的栅极噪声容限和驱动灵活性。其封装为标准的表面贴装DPAK（TO-252），具有良好的功率处理能力和散热特性，在壳温（Tc）条件下可支持高达70W的功率耗散，结温（Tj）最高可达175°C，保证了在严苛环境下的可靠运行。

在电气参数方面，STD85N3LH5的漏源击穿电压（Vdss）为30V，适用于常见的24V及以下总线电压系统。在规定的壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达80A，展现了强大的电流处理能力。其阈值电压Vgs(th)最大值为2.5V，属于标准逻辑电平兼容器件，便于由微控制器或标准PWM驱动器直接或通过简单电路进行驱动。输入电容（Ciss）为1850pF，与其他参数共同决定了开关动态特性。用户可通过正规的ST授权代理获取详细的技术资料与支持。

凭借30V的耐压和80A的高电流能力，这款MOSFET非常适合作为同步整流、电机驱动、电池保护电路以及DC-DC转换器中的主开关或同步整流开关。其低导通电阻和高效率特性，使其在服务器电源、工业电源、电动工具、无人机电调等对功率密度和能效要求较高的应用中具有显著优势。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和可靠的性能使其在现有系统维护或特定存量项目设计中仍具参考价值。

• 型号:STD85N3LH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD85N3LH5是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET V产品系列。该器件采用DPAK封装，专为低压大电流开关应用而优化。

其核心优势在于极低的导通损耗与出色的开关性能。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至5毫欧（@40A），同时栅极电荷（Qg）最大值仅为14nC，这共同确保了在高频开关电源和电机控制等应用中实现更高的能效和功率密度。器件额定值为30V漏源电压（Vdss）与80A连续漏极电流（Id），并具备175°C的最高结温，提供了稳健的电气性能和热可靠性。