STFI10N62K3

STFI10N62K3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和第三代超级结技术，在硅片层面实现了极低的单位面积导通电阻与优异的电荷平衡。这种核心架构使其能够在高达620V的漏源电压下稳定工作，同时将开关过程中的能量损耗控制在较低水平，为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。

得益于SuperMESH3技术的加持，该MOSFET展现出多项关键性能优势。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、4A漏极电流条件下典型值仅为750毫欧，这直接降低了器件在导通状态下的传导损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值被控制在42nC（@10V），结合1250pF的输入电容（Ciss @50V），意味着器件在开关过程中所需的驱动能量较小，能够实现更快的开关速度并降低驱动电路的负担，从而优化系统在高频工作下的整体效率。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±30V，也提供了较强的抗干扰能力。

在电气参数方面，STFI10N62K3标称连续漏极电流（Id）为8.4A（基于壳温Tc），最大功率耗散能力为30W（Tc）。其阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V，确保了与标准逻辑电平或栅极驱动器的良好兼容性。器件采用通孔安装的I2PAKFP（也称为TO-281）封装，这种封装形式具有良好的机械强度和散热特性，便于在功率板上进行可靠的焊接和热管理。广泛的ST代理商网络能够为设计工程师提供该器件的技术支持和供应链服务。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计选型时应考虑其替代型号。

凭借620V的耐压和良好的开关特性，这款MOSFET非常适用于要求中高功率密度和效率的离线式开关电源（SMPS）初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动逆变器的桥臂以及照明用电子镇流器等应用场景。其稳健的性能使其能在-55°C至150°C的结温范围内工作，满足工业级和消费类电子产品的环境要求。

• 型号:STFI10N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 620V 8.4A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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STFI10N62K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH3产品系列。该器件采用TO-281（I2PAKFP）通孔封装，核心特性包括620V的漏源击穿电压（Vdss）和8.4A的连续漏极电流（Id）能力，适用于中高功率的开关应用。

其技术亮点在于通过SuperMESH3技术实现了优异的导通与开关性能平衡：在10V Vgs下，导通电阻（Rds(on)）低至750mΩ（@4A），有助于降低传导损耗；同时，栅极电荷（Qg）最大值仅为42nC，配合1250pF的输入电容（Ciss），确保了快速的开关瞬态和较低的驱动损耗，有利于提升系统整体效率。器件工作结温范围为-55°C至150°C，提供可靠的运行鲁棒性。