STFI130N10F3

STFI130N10F3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET III技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔安装的I2PAKFP（TO-281）封装，专为在高功率密度应用中实现卓越的效率和热管理而设计。其核心架构优化了单元密度和沟道电阻，在保证高可靠性的前提下，显著提升了开关性能和电流处理能力。

该MOSFET的突出特性在于其极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、23A漏极电流条件下，Rds(On)典型值仅为9.6毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗，使得器件在开关电源、电机控制等高频开关场景中能效表现优异。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在57nC（@10V），结合适中的输入电容，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，实现快速、干净的开关转换。

在电气参数方面，STFI130N10F3具备100V的漏源击穿电压（Vdss）和高达46A（Tc=25°C）的连续漏极电流能力，为其在高电流应用中提供了充足的电压和电流裕量。其栅源电压（Vgs）耐受范围为±20V，增强了驱动电路的鲁棒性。器件的阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，提供了良好的噪声抑制能力。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，配合35W（Tc）的最大功率耗散能力，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过ST中国代理获取相关的技术支持和库存信息。

凭借其高耐压、大电流和低损耗的特性，这款器件非常适合应用于要求高效率和高可靠性的功率转换领域。典型应用包括工业级开关电源（SMPS）的初级侧或次级侧同步整流、DC-DC转换器、电机驱动与控制系统（如电动工具、风扇控制器）、以及不间断电源（UPS）和逆变器中的功率开关部分。其通孔封装也使其在对机械强度和散热有更高要求的传统功率板上游刃有余。

• 型号:STFI130N10F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 46A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):46A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.6 毫欧 @ 23A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3305 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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STFI130N10F3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET III产品系列。该器件采用I2PAKFP通孔封装，核心优势在于其优异的导通特性与开关性能的平衡。

其关键电气参数定义了强大的应用潜力：100V的漏源电压和46A的连续漏极电流提供了坚实的功率处理基础。尤为突出的是，其在10V驱动下导通电阻低至9.6毫欧（@23A），配合仅57nC的栅极电荷，共同确保了极低的传导损耗与开关损耗，从而显著提升系统整体能效。器件支持-55°C至175°C的宽结温范围，适用于要求严苛的工业环境。