STD3NK80ZT4

STD3NK80ZT4是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构，通过创新的单元设计和工艺改进，在保持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)）。其核心在于实现了800V的高漏源击穿电压（V_DSS）与4.5Ω的低导通电阻之间的出色平衡，这使其在高压开关应用中能够有效降低传导损耗，提升整体能效。

该MOSFET具备卓越的开关性能与可靠性。其栅极电荷（Q_g）典型值较低，有助于减少开关过程中的栅极驱动损耗，并允许使用更简洁的驱动电路，从而简化系统设计。器件支持高达±30V的栅源电压（V_GS），提供了宽裕的驱动安全裕度。同时，其输入电容（C_iss）经过优化，与低栅极电荷特性相结合，确保了快速的开关瞬态响应，这对于高频开关电源拓扑至关重要。其结温（T_J）工作范围宽达-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的稳定运行。用户可通过官方ST代理获取完整的技术支持与供应服务。

在电气参数方面，该器件在10V驱动电压下，可提供2.5A的连续漏极电流（I_D），最大功耗为70W。其阈值电压（V_GS(th)）设计适中，提供了良好的噪声免疫性与易驱动性。器件采用标准的DPAK（TO-252）表面贴装封装，具有良好的功率处理能力和散热特性，便于在自动化生产线上进行高效焊接与组装，满足现代电子制造对高功率密度和可靠性的双重需求。

凭借其高压、高效的特点，STD3NK80ZT4非常适用于需要高压开关和功率转换的场合。典型应用包括离线式开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明用电子镇流器以及工业电机驱动中的辅助电源。在这些应用中，它能够帮助设计工程师实现更高的系统效率、更紧凑的尺寸以及更可靠的长期运行性能。

• 型号:STD3NK80ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 欧姆 @ 1.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:485 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 想获取STD3NK80ZT4的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STD3NK80ZT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用SuperMESH技术，专为高压高效应用而设计。其核心特性在于提供了800V的漏源电压（Vdss）额定值，同时保持了较低的导通电阻（Rds(on)），这有助于在开关电源等应用中显著降低导通损耗。

该器件在10V栅极驱动下，可支持2.5A的连续漏极电流，并具备低栅极电荷和优化的电容特性，确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗。其采用DPAK表面贴装封装，最大功耗70W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，为设计高可靠性、高功率密度的电源解决方案提供了坚实的基础。