STN3P6F6

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STN3P6F6是一款采用先进STripFET VI技术的P沟道功率MOSFET。该器件基于优化的垂直架构设计，其核心在于实现了极低的导通电阻与出色的开关性能平衡。其沟槽栅极结构有效增加了单元密度，显著降低了单位面积的导通损耗，同时通过优化的工艺控制，确保了在宽泛的工作温度范围内保持稳定的电气特性。这种架构使其特别适合在紧凑空间内处理中等功率的开关任务，为系统设计提供了更高的效率和可靠性基础。

在电气性能方面，STN3P6F6的突出特性包括高达60V的漏源击穿电压（Vdss）和3A的连续漏极电流能力。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、1.5A电流条件下典型值仅为160毫欧，这一低阻抗特性直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生。此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为6.4nC，结合340pF的输入电容（Ciss），意味着该器件具有快速的开关速度和较低的驱动损耗，有助于提升整体系统的开关频率和效率。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±20V，提供了良好的抗干扰能力和驱动灵活性。

该MOSFET采用标准的SOT-223表面贴装封装，具有良好的散热性能和易于自动化生产的优势。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，最大功耗为2.6W（基于壳温），确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取完整的技术支持与供货保障。这些接口与参数特性使其能够无缝集成到各种现代电源管理电路中。

基于其性能组合，STN3P6F6非常适合应用于需要高效率电源切换的场合。典型应用包括DC-DC转换器中的负载开关、电源反接保护电路、电机驱动中的H桥下管以及电池供电设备的功率路径管理。其P沟道特性简化了高端驱动的设计，无需额外的电荷泵或自举电路，特别在空间和成本敏感的设计中优势明显。无论是工业控制、消费电子还是汽车辅助系统，该器件都能提供稳健、高效的功率开关解决方案。

• 型号:STN3P6F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-223
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V SOT223
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tj）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:340 pF @ 48 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.6W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• 想获取STN3P6F6的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STN3P6F6是意法半导体推出的一款P沟道功率MOSFET，隶属于采用先进STripFET VI技术的DeepGATE产品系列。该器件采用SOT-223封装，核心规格包括60V的漏源电压（Vdss）和3A的连续漏极电流（Id）。

其关键性能优势在于极低的导通损耗，在10V Vgs、1.5A Id条件下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为160毫欧。同时，其栅极电荷（Qg）低至6.4nC，确保了快速的开关响应和较低的驱动损耗，有助于提升系统整体效率。宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）使其能够适应苛刻的应用环境。