STFI13N65M2

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STFI13N65M2是一款基于其先进的MDmesh M2技术平台开发的N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的卓越平衡。其核心架构通过创新的单元布局和加工工艺，显著降低了单位面积的导通损耗，同时确保了在高频开关应用中的快速响应能力与可靠性，为高效率功率转换提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其650V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC转换、电机驱动等场合中常见的电压应力和开关尖峰。在导通特性方面，在10V驱动电压（Vgs）和5A漏极电流（Id）条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为430毫欧，这一低阻值直接转化为更低的导通损耗和更优的温升表现。此外，其栅极电荷（Qg）最大值控制在17nC（@10V），配合590pF的输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，有助于提升系统整体效率并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与参数方面，STFI13N65M2采用通孔安装的I2PAKFP（TO-281）封装，这种封装形式提供了良好的机械强度和散热能力。其标称连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）25°C下可达10A，最大允许栅源电压（Vgs）为±25V，为驱动设计提供了充足的裕量。器件结温（Tj）最高可工作于150°C，最大功率耗散为25W（Tc），展现了其稳健的热性能。对于需要可靠供货与技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。

凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关的特性组合，该器件非常适合应用于对效率和可靠性有严苛要求的领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主变换器、工业电机驱动与变频器、不间断电源（UPS）以及照明镇流器等。尽管其零件状态已标注为停产，意味着已进入产品生命周期末期，但其设计理念和性能参数在相关历史方案或备件替换中仍具有重要的参考价值，工程师在选择替代型号或进行库存管理时需予以关注。

• 型号:STFI13N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:430 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:590 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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STFI13N65M2是ST意法半导体基于MDmesh M2技术制造的一款N沟道功率MOSFET。该器件核心优势在于其650V的高漏源击穿电压与低至430毫欧（@5A，10V）的导通电阻的出色结合，这使其在高电压应用中能有效降低导通损耗，提升系统效率。

此外，其优化的动态特性，如最大17nC的栅极电荷和590pF的输入电容，确保了快速的开关瞬态响应，有助于减少开关损耗并允许更高频率的操作。器件采用I2PAKFP（TO-281）通孔封装，在壳温25°C下可支持10A的连续漏极电流，最高结温达150°C，为各种功率转换和电机控制应用提供了可靠的解决方案。