STFI13N80K5

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STFI13N80K5是一款基于其先进MDmesh K5技术平台开发的N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在为高压开关应用提供卓越的能效与可靠性。其核心架构通过创新的单元布局和加工工艺，在保持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），这一特性对于提升系统整体效率至关重要。

该MOSFET具备800V的漏源击穿电压（Vdss），能够从容应对工业及消费类电源中常见的电压应力和开关尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为12A，结合仅450毫欧（在6A，10V条件下）的最大导通电阻，确保了在导通状态下具有较低的传导损耗。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，且栅极总电荷（Qg）最大值仅为29nC，这有助于降低开关过程中的驱动损耗，提升高频开关性能，并使栅极驱动电路的设计更为简化。

在电气参数方面，STFI13N80K5的输入电容（Ciss）在100V偏置下最大值为870pF，与较低的Qg值协同作用，共同优化了开关速度与损耗的平衡。器件支持高达±30V的栅源电压，提供了较强的抗干扰能力。其采用通孔安装的I2PAKFP（TO-281）封装，具有良好的机械强度和散热特性，在壳温（Tc）下最大功率耗散为35W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于要求严苛的环境。对于需要获取官方技术支持和供货信息的用户，可以联系ST中国代理进行咨询。

凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关特性，这款器件非常适合应用于开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主转换拓扑、工业电机驱动辅助电源、照明镇流器以及UPS（不间断电源）系统等场景。在这些应用中，它能够有效提升功率密度和能源转换效率，是设计高效、紧凑型高压功率电路的可靠选择。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计选型时应考虑其替代型号。

• 型号:STFI13N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 12A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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STFI13N80K5是ST意法半导体基于MDmesh K5技术制造的N沟道功率MOSFET。该器件核心优势在于其800V的漏源电压（Vdss）与12A的连续漏极电流（Id）能力，结合低至450毫欧的导通电阻（Rds(on)），旨在显著降低高压开关应用中的传导损耗。

其技术亮点还包括优化的开关特性，最大栅极电荷（Qg）仅为29nC，有助于实现更高的开关频率并降低驱动损耗。器件采用I2PAKFP通孔封装，最大功率耗散35W，工作结温范围-55°C至150°C，为电源转换和电机控制等应用提供了坚固可靠的解决方案。