STFI15N60M2-EP

STFI15N60M2-EP是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh M2技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构，其核心在于通过创新的单元设计和制造工艺，在保持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积下的导通电阻（R_DS(on)）。这种架构实现了导通损耗与开关损耗之间的出色平衡，使其在高压开关应用中能够兼顾效率与可靠性。其封装为坚固的I2PAKFP（TO-281），提供了良好的机械强度和散热性能。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（V_DSS），能够从容应对工业级AC-DC变换器、电机驱动等场合中常见的电压应力和开关尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值为11A，展现了较强的电流处理能力。其导通电阻在10V栅极驱动电压、5.5A漏极电流条件下典型值仅为378毫欧，这一低R_DS(on)特性直接转化为更低的导通压降和导通损耗，有助于提升系统整体能效。同时，其栅极电荷（Q_g）典型值低至17nC（@10V），结合590pF的输入电容（C_iss），意味着所需的栅极驱动能量较小，有利于实现快速开关并简化驱动电路设计，降低开关损耗。

在接口与参数方面，该器件采用标准的三引脚通孔封装，便于在PCB上安装和焊接。其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为4V，具备良好的噪声抑制能力。栅源电压（V_GS）允许范围为±25V，为驱动电路的设计提供了充足的裕量。器件的最大功耗为25W（T_C），并且其结温工作范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠元器件供应的项目，可以通过官方ST授权代理渠道进行咨询和采购。

得益于其高压、低损耗和坚固耐用的特性，STFI15N60M2-EP非常适合应用于要求高效率和高可靠性的功率转换领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主变换器、工业电机驱动与变频器、UPS（不间断电源）系统以及照明镇流器等。在这些场景中，它能够有效处理高电压大电流的开关动作，是实现紧凑、高效功率解决方案的关键组件之一。

• 型号:STFI15N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAKFP（TO-281）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:378 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:590 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAKFP（TO-281）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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STFI15N60M2-EP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2产品系列。该器件采用TO-281（I2PAKFP）通孔封装，核心特性包括600V的漏源电压（V_DSS）和11A的连续漏极电流（I_D）处理能力。

其技术优势主要体现在优异的开关性能与低导通损耗上。在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）典型值低至378毫欧，同时栅极电荷（Q_g）仅为17nC，这共同保障了高效率的功率转换。器件支持-55°C至150°C的宽结温工作范围，适用于对可靠性要求严苛的工业环境。