STFI15NM65N

STFI15NM65N是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其核心在于优化的单元结构和工艺，使得在650V的高漏源电压（Vdss）额定值下，依然能保持较低的特定导通电阻，这对于提升开关电源等系统的整体效率至关重要。

该MOSFET的显著特性体现在其优异的动态与静态性能参数上。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为12A，而导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、6A电流条件下最大仅为380毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和发热。其栅极电荷（Qg）最大值控制在33.3nC（@10V），结合983pF的输入电容（Ciss），意味着器件具有较快的开关速度和较低的驱动损耗，有利于在高频开关应用中提升性能并简化驱动电路设计。其栅源电压（Vgs）支持±25V，提供了较宽的驱动安全裕度。

在封装与可靠性方面，STFI15NM65N采用通孔安装的I2PAKFP（也称为TO-281）封装，这种封装具有良好的机械强度和散热特性，其最大功率耗散能力为30W（Tc）。器件的工作结温范围宽广，从-55°C延伸至150°C，确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过ST中国代理获取相关的产品信息与供货服务。

凭借650V的耐压和12A的电流处理能力，这款MOSFET非常适用于要求高效率和高可靠性的离线式开关电源（SMPS）拓扑，如功率因数校正（PFC）电路、反激式或正激式转换器。它也适用于工业电机驱动、不间断电源（UPS）以及照明镇流器等领域的功率开关部分。尽管其零件状态标注为停产，但在许多现有设计和需要高性价比替代方案的应用中，它仍然是一个经过市场验证的关键功率开关选择。

• 型号:STFI15NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 12A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:983 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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STFI15NM65N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心参数包括650V的漏源电压（Vdss）和12A的连续漏极电流（Id），提供了稳健的功率处理能力。

其技术优势在于实现了低导通损耗与良好开关特性的结合。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值为380毫欧，同时栅极电荷（Qg）被优化至33.3nC，这有助于提升系统效率并降低驱动需求。器件采用I2PAKFP通孔封装，支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，适用于对可靠性要求较高的工业与电源应用环境。