STFI20NK50Z

STFI20NK50Z是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直沟槽栅极结构，通过优化单元密度和沟道设计，在保持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻。其核心架构旨在平衡开关速度与导通损耗，内部寄生电容经过精心设计，有助于在高频开关应用中实现更低的开关损耗和更优的电磁兼容性（EMC）表现。

该器件具备500V的高漏源击穿电压（Vdss），为离线式开关电源（SMPS）和电机驱动等应用提供了充足的电压裕量，增强了系统的可靠性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达17A，配合仅270毫欧（典型值）的低导通电阻（Rds(on)），确保了在导通状态下极低的功率耗散，有效提升了整体能效。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，最大栅源电压（Vgs）可承受±30V，提供了较强的抗干扰能力。对于需要稳定供应链支持的开发者，可以通过授权的ST芯片代理获取相关技术资料与采购支持。

在电气参数方面，119nC的栅极总电荷（Qg）与2600pF的输入电容（Ciss）共同决定了其开关动态特性，使其适合于中等频率的硬开关和软开关拓扑。器件采用通孔安装的I2PAKFP（TO-281）封装，这种封装形式具有良好的机械强度和散热性能，其结到壳的热阻较低，在配合适当散热器时，最大允许功率耗散可达40W（Tc），最高工作结温（Tj）为150°C，保证了在严苛环境下的稳定运行。

凭借其高电压、大电流和低导通电阻的特性，STFI20NK50Z非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括工业级开关模式电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路和主逆变桥、不间断电源（UPS）的功率转换模块、以及电机驱动和照明镇流器的功率开关部分。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数在同类替代选型中仍具有重要的参考价值。

• 型号:STFI20NK50Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 17A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:270 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:119 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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STFI20NK50Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用TO-281（I2PAKFP）通孔封装，核心电气参数针对高效功率转换进行了优化。

其关键特性包括高达500V的漏源电压（Vdss）和17A的连续漏极电流（Id）处理能力，结合低至270毫欧的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低导通损耗，提升系统效率。此外，119nC的栅极电荷（Qg）和150°C的最大工作结温（Tj）使其能够胜任对可靠性和动态性能有较高要求的工业电源与电机控制应用。