STFI24N60M2

STFI24N60M2是意法半导体基于其先进的MDmesh II Plus技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的卓越平衡。其核心在于通过改进的单元布局和工艺技术，显著降低了单位面积下的导通电阻（Rds(on)），同时保持了快速开关特性，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（Vdss）和在壳温（Tc）条件下高达18A的连续漏极电流能力，为高压应用提供了坚实的可靠性基础。其导通电阻在10V栅极驱动电压、9A漏极电流条件下典型值仅为190毫欧，这一低导通阻抗特性直接转化为更低的传导损耗和发热量。此外，最大栅极电荷（Qg）仅为29nC，结合1060pF的输入电容，意味着器件在开关过程中所需的驱动能量较低，有助于简化驱动电路设计并提升高频开关性能。

在接口与参数方面，STFI24N60M2采用标准的10V栅极驱动电压，栅源电压最大可承受±25V，提供了较宽的驱动安全裕度。其阈值电压Vgs(th)最大值为4V，具备良好的噪声抑制能力。器件采用通孔安装的I2PAKFP（TO-281）封装，该封装具有良好的热性能和机械强度，最大功率耗散为30W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于要求严苛的工业环境。用户可通过官方ST代理获取详细的技术支持与供应链服务。

凭借其高压、低损耗和快速开关的特性组合，这款MOSFET非常适用于开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）和主开关拓扑、工业电机驱动、不间断电源（UPS）以及高频逆变器等应用场景。在这些领域中，它能够有效提升系统能效等级，减少散热需求，并有助于实现更紧凑的电源设计。尽管其零件状态标注为停产，但在许多现有设备和备件市场中，它依然是一款经过验证的高性能功率开关解决方案。

• 型号:STFI24N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 600V 18A TO281
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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STFI24N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II Plus产品系列。该器件采用TO-281（I2PAKFP）通孔封装，核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）以及在壳温条件下18A的连续漏极电流（Id）承载能力。

其技术优势主要体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至190毫欧（@9A），能显著降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值29nC）和输入电容有利于实现快速开关，减少开关损耗，提升系统整体效率。这些特性使其成为高压、高效率功率转换应用的理想选择。