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BZW50-82RL的图片

BZW50-82RL

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 82VWM 189VC R6
原厂封装:封装:R-6
优势价格,BZW50-82RL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BZW50-82RL的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

在电子系统的电路保护设计中,BZW50-82RL是一款由ST意法半导体推出的高性能瞬态电压抑制(TVS)二极管。该器件隶属于广受认可的BZW50系列和TRANSIL产品家族,采用经典的齐纳二极管雪崩击穿原理构建其核心保护机制。其单向通道设计专门用于抑制正向的浪涌电压,当电路中出现超过其预设阈值的瞬态高压时,器件能迅速从高阻态切换到低阻态,将过电压能量旁路至地,从而将敏感电子元件两端的电压箝位在一个安全的水平。

这款TVS二极管的核心特性在于其卓越的浪涌能量吸收能力和精确的电压保护阈值。其82V的反向断态电压(VRWM)使其非常适合保护工作电压在48V至60V范围内的直流总线或信号线路。当遭遇瞬态冲击时,其击穿电压(VBR)最小值为91V,确保了保护动作的启动具有足够的余量,避免误触发。更为关键的是,在承受高达317A(8/20s波形)的峰值脉冲电流冲击时,它能将箝位电压(VC)有效限制在最大值189V,这一优异的低箝位比对于保护后级耐压值较低的IC至关重要。其峰值脉冲功率高达5kW,展现了强大的瞬间能量耗散能力,能够可靠地抵御来自雷击感应、感性负载切换或静电放电(ESD)等多种来源的浪涌威胁。

在电气参数方面,除了高功率处理能力,BZW50-82RL在1MHz频率下具有2600pF的典型结电容,这一特性使其在数据速率要求不极高的通用电源和工业控制线路中能够良好工作,但在超高速数据线(如USB 3.0、HDMI)的应用中需谨慎评估其对信号完整性的潜在影响。器件采用经典的R-6轴向引线封装,便于通孔安装(THT),提供了稳固的机械连接和良好的散热路径。作为有源状态的成熟产品,其供应稳定,用户可以通过正规的ST一级代理渠道获取原装正品,确保设计可靠性与批量生产的一致性。

鉴于其通用型的产品定位和强大的保护性能,BZW50-82RL在众多领域找到了用武之地。它常被部署在工业自动化设备的直流电源输入端、通信基站的基础电源模块、车载电子设备的电源端口以及光伏逆变器的DC侧,作为初级或次级保护元件。其设计旨在为AC/DC电源转换器、电机驱动控制器、继电器和接触器线圈等易产生电压尖峰的节点提供稳健的过压保护,有效提升整个电子系统的可靠性与电磁兼容性(EMC)等级,满足严苛的工业环境要求。

  • 型号:BZW50-82RL
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:R-6
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 82VWM 189VC R6
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:1
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):82V
  • 电压 - 击穿(最小值):91V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):189V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):317A(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:5000W(5kW)
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:2600pF @ 1MHz
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:R-6,轴向
  • 供应商器件封装:R-6
  • 想获取BZW50-82RL的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

BZW50-82RL是ST意法半导体BZW50系列中的一款单向TVS二极管,专为抑制高压瞬态浪涌而设计。其核心卖点在于82V的反向工作电压与高达5kW的峰值脉冲功率处理能力,能够在承受317A的大电流冲击时,将电压箝位在189V以下,为后级电路提供强有力的保护。

该器件采用通孔式R6轴向封装,适用于通用型过压保护应用。其电气特性平衡了保护性能与实用性,2600pF的结电容使其适合多数电源和工业控制线路的保护需求,是提升系统可靠性和抗浪涌能力的经典选择。

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