STD28P3LLH6AG

STD28P3LLH6AG是意法半导体（STMicroelectronics）推出的符合AEC-Q101标准的汽车级功率MOSFET。该器件采用先进的STripFET H6技术平台构建，这一平台专为优化功率密度和开关性能而设计。其核心架构通过创新的单元结构和沟槽工艺，在保持紧凑封装尺寸的同时，显著降低了导通电阻和栅极电荷，从而实现了高效率与低损耗的平衡，这对于要求严苛的汽车电子环境至关重要。

该器件是一款P沟道MOSFET，其30V的漏源电压（Vdss）和12A的连续漏极电流（Id）能力，使其非常适合用于低压大电流的负载开关与电源管理应用。其关键性能参数表现突出：在10V驱动电压（Vgs）下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至30毫欧（@6A），这直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生。同时，其最大栅极电荷（Qg）仅为29nC（@10V），有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计，提升系统整体效率。器件支持高达±18V的栅源电压，提供了良好的栅极驱动鲁棒性。

在接口与热管理方面，STD28P3LLH6AG采用标准的表面贴装DPAK封装，便于自动化生产并节省PCB空间。其最大功率耗散能力为33W（Tc），结合高达150°C的结温（TJ）工作范围，确保了在高温环境下的可靠运行。输入电容（Ciss）典型值为1480pF，与较低的Qg值共同优化了开关动态特性。这些参数共同塑造了器件高效率、高可靠性和易于驱动的核心特点。

凭借其汽车级认证和稳健的性能，该MOSFET主要面向需要高可靠性的车载应用场景。典型应用包括12V/24V电池系统的负载开关、电机预驱动器、LED照明驱动以及DC-DC转换器中的同步整流或高边开关。其优异的能效表现有助于延长电动汽车和传统汽车的电池续航里程。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理获取该产品，以确保获得正品元件和完整的设计资源。

• 型号:STD28P3LLH6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 12A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±18V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1480 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:33W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD28P3LLH6AG是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的汽车级P沟道功率MOSFET，属于STripFET H6产品系列。该器件采用表面贴装DPAK封装，核心优势在于其优异的能效表现，其漏源电压（Vdss）为30V，连续漏极电流（Id）高达12A，能够满足汽车电子中常见的低压大电流应用需求。

器件的关键电气参数为其高效运行提供了保障：在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至30毫欧，有效降低了导通损耗；同时，最大栅极电荷（Qg）仅为29nC，有助于实现快速的开关速度并降低驱动损耗。其结温（TJ）工作范围高达150°C，功率耗散能力为33W，确保了在严苛的汽车环境下的长期可靠性与热稳定性。