STD100N03LT4

STD100N03LT4是ST意法半导体基于其成熟的STripFET技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅工艺，旨在实现极低的导通电阻与快速的开关特性，其核心设计理念是在紧凑的封装内提供高电流处理能力与优异的功率转换效率。其30V的漏源击穿电压（Vdss）与高达80A的连续漏极电流（在特定壳温条件下）规格，使其成为低压、大电流应用的理想选择。

该MOSFET的关键性能体现在其卓越的导通损耗控制上。在10V栅极驱动电压（Vgs）和40A漏极电流（Id）的典型工作条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为5.5毫欧，这一极低的Rds(on)特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1V，结合最大27nC（@5V）的栅极总电荷（Qg），意味着器件具备良好的栅极驱动兼容性与快速的开关速度，有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计。其坚固的栅极结构可承受高达±20V的栅源电压，提供了良好的抗干扰能力。

在电气参数方面，STD100N03LT4在25V漏源电压下的输入电容（Ciss）最大值为2060pF，这是评估其开关动态特性的重要参数之一。器件采用标准的表面贴装DPAK（TO-252）封装，这种封装形式在功率密度和散热能力之间取得了良好平衡，其最大功率耗散能力可达110W（基于壳温）。宽广的工作结温范围（-55°C至175°C）确保了其在严苛环境下的可靠运行。对于需要获取此型号器件进行设计验证或备货的工程师，可以通过授权的ST代理商渠道咨询库存与技术支持。

凭借上述特性，该器件主要面向需要高效功率管理的应用场景。它非常适合用作同步整流电路中的低压侧开关，或在DC-DC降压（Buck）转换器中作为主开关管，广泛应用于计算机主板、显卡的VRM（电压调节模块）、服务器电源以及各类工业级开关电源的次级侧整流。其高电流能力和低导通电阻也使其成为电机驱动、电池保护电路和负载开关中的优选方案，尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数在同类替代选型中仍具有重要的参考价值。

• 型号:STD100N03LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2060 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 想获取STD100N03LT4的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STD100N03LT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用STripFET技术及DPAK封装。其核心优势在于30V的漏源电压下支持高达80A的连续漏极电流，并实现了极低的导通电阻，典型值仅为5.5毫欧（@10V Vgs, 40A Id），这显著降低了功率传导损耗。

器件具备快速的开关特性，其最大栅极电荷（Qg）为27nC，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大1V，确保了在高频开关电源应用中能够实现高效、快速的切换。宽广的工作结温范围（-55°C至175°C）与110W的最大功率耗散能力，为其在 demanding 的工业与计算应用中提供了可靠的性能保障。