STFI260N6F6

作为一款采用先进功率半导体技术设计的功率MOSFET，STFI260N6F6集成了意法半导体（STMicroelectronics）多项核心技术。该器件基于N沟道设计，其核心架构融合了STripFET VI与DeepGATE两大产品系列的工艺优势。STripFET VI技术通过优化的单元结构和布局，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），而DeepGATE技术则增强了栅极控制能力，有助于实现更低的栅极电荷和更快的开关速度，从而在功率密度和开关效率之间取得了良好平衡。

在电气性能方面，该器件展现出卓越的功率处理能力。其额定漏源电压（V_DSS）为60V，在壳温（T_C）条件下可支持高达80A的连续漏极电流。尤为突出的是其极低的导通电阻，在10V栅源驱动电压、60A漏极电流的测试条件下，R_DS(on)最大值仅为3毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗，对于提升系统整体效率至关重要。同时，其栅极电荷（Q_g）最大值控制在183nC（@10V），配合±20V的最大栅源电压容限，为设计高效的栅极驱动电路提供了灵活性和可靠性保障。

该MOSFET的封装与热管理设计同样经过精心考量。它采用通孔安装的I2PAKFP（也称为TO-281）封装，这种封装形式具有良好的机械强度和散热能力。其最大功率耗散为41.7W（T_C），结合宽泛的结温工作范围（-55°C至175°C），确保了器件在苛刻环境下的稳定运行。输入电容（C_iss）等动态参数也经过了优化，有助于减少开关过程中的电压尖峰和振荡。对于需要获取该器件技术细节或库存信息的工程师，可以咨询专业的ST中国代理以获取进一步支持。

综合其技术参数，STFI260N6F6非常适合应用于对效率和功率密度有高要求的场合。典型应用包括工业级开关电源（SMPS）的初级侧或次级侧同步整流、电机驱动与控制系统中的H桥或半桥拓扑、以及各类DC-DC转换器模块。其强大的电流处理能力和低导通电阻特性，使其成为中高功率密度电源设计、电动工具、不间断电源（UPS）和电池管理系统中功率开关单元的可靠选择。

• 型号:STFI260N6F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAKFP（TO-281）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 80A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:183 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:41.7W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAKFP（TO-281）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• 想获取STFI260N6F6的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STFI260N6F6是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于融合了DeepGATE与STripFET VI技术的产品系列。该器件设计用于高效处理功率，其核心优势在于极低的导通电阻，在10V V_GS、60A I_D条件下最大值仅为3毫欧，这能显著降低传导损耗，提升系统效率。

器件额定电压为60V，在壳温条件下可承受高达80A的连续电流，并采用散热性能良好的I2PAKFP（TO-281）通孔封装。其栅极电荷（Q_g）最大值控制在183nC，有助于实现快速的开关切换并降低驱动损耗。这些特性使其成为中高功率开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等应用的理想功率开关解决方案。