STFI40N60M2

STFI40N60M2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh II Plus技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在硅片层面实现了导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_G）之间的出色平衡。其核心在于通过创新的单元布局和加工工艺，显著降低了单位面积的导通损耗，同时保持了快速开关特性，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（V_DSS），为离线式开关电源（SMPS）的功率级提供了充足的电压裕量，确保在电网波动或感性负载关断时具有可靠的鲁棒性。在25°C壳温（T_C）条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值为34A，支持处理较高的平均功率。其导通电阻在10V栅极驱动电压、17A漏极电流条件下典型值较低，有助于减少导通期间的功率损耗，提升系统能效。

器件的动态特性经过精心优化，最大栅极电荷（Q_G）仅为57nC（@10V），结合适中的输入电容，意味着驱动电路所需的开关能量较小，有利于实现更高频率的开关操作并降低驱动损耗。其栅极阈值电压（V_GS(th)）设计合理，提供了良好的噪声抑制能力。该器件采用通孔安装的I2PAKFP（TO-281）封装，这种封装形式具有良好的机械强度和散热性能，便于在功率板上进行可靠的焊接和热管理。用户可以通过官方授权的ST代理渠道获取详细的技术支持与供应链服务。

得益于其高耐压、低导通电阻和良好的开关性能，STFI40N60M2非常适用于要求高效率和高可靠性的中高功率应用场景。典型应用包括工业级开关电源（如服务器电源、通信电源）的PFC（功率因数校正）电路和DC-DC变换器主开关、UPS（不间断电源）系统的功率转换模块，以及电机驱动和照明镇流器的功率开关部分。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）也使其能够适应严苛的工业环境。

• 型号:STFI40N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 34A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:88 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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STFI40N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的MDmesh II Plus产品系列。该器件采用TO-281（I2PAKFP）通孔封装，核心额定参数为600V漏源电压（V_DSS）和34A连续漏极电流（I_D），为高压、大电流开关应用提供了坚实的硬件基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，其导通电阻（R_DS(on)）表现突出，能有效降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Q_G）有助于实现快速开关并减少驱动需求，从而提升整体电源系统的效率和功率密度。这些特性使其成为工业电源、功率转换及电机控制等领域的理想选择。