STFI5N80K5

STFI5N80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh K5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔安装的I2PAKFP（TO-281）封装，专为需要高耐压和高效开关性能的应用而设计。其核心架构采用了优化的垂直沟槽栅极设计，结合了低栅极电荷与低导通电阻的特性，旨在显著降低开关损耗和传导损耗，从而提升系统整体能效。

该器件具备800V的漏源击穿电压（Vdss），使其能够从容应对工业电源、照明驱动等场合中常见的电压应力与尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为4A。一个关键的性能指标是其导通电阻（Rds(on)），在10V驱动电压、2A漏极电流的测试条件下，最大值仅为1.75欧姆，这直接关系到器件在导通状态下的功率损耗水平。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在5.5nC（@10V），较低的Qg值意味着在开关过程中对栅极驱动电路的需求更低，有助于简化驱动设计并进一步提升开关速度，减少开关损耗。

在接口与参数方面，该MOSFET的栅源电压（Vgs）最大额定值为±30V，提供了较宽的安全工作范围。其阈值电压Vgs(th)最大值为5V（@100A），属于标准电平，兼容常见的控制器驱动。输入电容（Ciss）在100V漏源电压下最大值为177pF，较低的输入电容也有利于实现快速开关。器件的最大功率耗散能力为20W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过ST中国代理获取相关的技术支持和产品信息。

得益于其高耐压、低损耗和良好的开关特性，STFI5N80K5非常适用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、LED照明驱动以及工业电机控制等应用场景。在这些领域中，它能够有效提升电源转换效率，增强系统可靠性，是工程师设计高性能、高能效功率转换方案的优选器件之一。

• 型号:STFI5N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 4A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.75 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:177 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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STFI5N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的MDmesh K5产品系列。该器件采用I2PAKFP封装，核心规格包括800V的漏源电压（Vdss）和4A的连续漏极电流（Id），为高压应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡：在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为1.75欧姆 @ 2A，有效降低了导通损耗；同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值5.5nC @ 10V）确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗。这些特性使其在要求高效率和可靠性的功率开关场合中表现出色。