STFI5N95K3

STFI5N95K3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和外延层技术，在单晶硅衬底上实现了优异的耐压与导通特性平衡。其核心设计目标是在高达950V的漏源电压（Vdss）下提供稳定可靠的开关性能，同时通过降低栅极电荷（Qg）和输出电容来优化高频开关应用中的效率。

该MOSFET的显著特性在于其极低的特定导通电阻（Rds(on)），在10V驱动电压、2A漏极电流条件下，典型值仅为3.5欧姆，这直接降低了导通状态下的功率损耗。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V，确保了良好的噪声免疫能力和驱动简易性。此外，器件支持高达±30V的栅源电压，提供了宽裕的驱动安全裕度。其栅极总电荷（Qg）典型值低至19nC（@10V），结合460pF的输入电容（Ciss），使得开关转换过程中的驱动损耗显著降低，特别有利于提升高频开关电源的整体能效。

在电气参数方面，STFI5N95K3在壳温（Tc）条件下可承受4A的连续漏极电流，最大功耗为25W。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，能够适应严苛的环境要求。器件采用通孔安装的I2PAKFP（也称为TO-281）封装，该封装具有良好的机械强度和散热特性，便于在功率板上进行可靠的焊接与热管理。对于需要获取官方技术支持和正品供应的设计人员，可以联系ST中国代理以获取详细资料与采购信息。

凭借950V的高耐压和优化的开关特性，这款器件主要面向离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及工业电机驱动等应用领域。在这些场景中，其高耐压能力可以有效应对交流输入整流后的高压母线，而低Qg特性有助于实现更高的开关频率，从而缩小磁性元件的体积，助力电源系统实现高功率密度和高效率的设计目标。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设计的维护、备件供应或特定成本优化的项目中，它仍然是一个经过市场验证的技术选择。

• 型号:STFI5N95K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 4A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:460 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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STFI5N95K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH3产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心电气规格包括950V的漏源击穿电压（Vdss）以及在壳温下4A的连续漏极电流承载能力。

其技术优势体现在优异的动态性能与导通特性的结合上。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为3.5欧姆（@2A），有助于降低导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，典型值19nC @10V）和输入电容（Ciss）确保了快速开关速度和较低的驱动损耗，从而提升系统整体效率。器件采用通孔式I2PAKFP（TO-281）封装，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于要求严苛的工业环境。