STWA57N65M5

STWA57N65M5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-247通孔封装，其核心设计旨在实现高电压、高功率密度与低损耗之间的卓越平衡。MDmesh V技术通过优化的单元结构和垂直沟槽工艺，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时优化了内部电容参数，从而在开关速度与电磁干扰（EMI）性能之间取得了优异的折衷。

该器件具备650V的漏源击穿电压（Vdss），为工业级开关电源、电机驱动等应用提供了充足的电压裕量，增强了系统的可靠性。在25°C壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达42A，结合63毫欧（@ 10V, 21A）的低导通电阻，有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体能效。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，最大栅源电压（Vgs）可承受±25V，增强了驱动电路的鲁棒性。此外，98nC（@ 10V）的较低栅极电荷（Qg）与优化的电容特性，有助于降低开关损耗，简化栅极驱动设计，并支持更高频率的开关操作。

在电气参数方面，STWA57N65M5展现了全面的高性能指标。其最大结温（Tj）高达150°C，允许在严苛的热环境下稳定工作。在壳温（Tc）条件下，最大功率耗散能力为250W，结合TO-247封装良好的散热特性，为高功率应用提供了保障。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。这些接口与参数特性共同构成了该器件在高性能功率转换领域的坚实基础。

凭借其高耐压、大电流、低损耗及强散热能力，STWA57N65M5非常适用于要求严苛的工业与汽车电子领域。典型应用包括服务器/通信电源的功率因数校正（PFC）和DC-DC转换级、工业电机驱动和变频器、不间断电源（UPS）以及新能源领域的太阳能逆变器和车载充电机（OBC）。在这些场景中，它能够有效提升系统效率、功率密度和长期运行可靠性，是工程师设计下一代高效能功率系统的优选功率开关器件。

• 型号:STWA57N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 42A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):42A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:63 毫欧 @ 21A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:98 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4200 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247
• 封装/外壳:TO-247-3
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STWA57N65M5是ST意法半导体推出的一款采用MDmesh V技术的N沟道功率MOSFET，封装形式为TO-247。该器件核心优势在于其650V的高漏源电压与42A的高连续漏极电流能力，为高压大功率应用提供了可靠的开关解决方案。

其技术亮点包括低至63毫欧的导通电阻（Rds(on)），这直接降低了导通损耗，提升了能效；同时，98nC的栅极电荷（Qg）有助于实现更快的开关速度和更低的开关损耗。结合150°C的最高工作结温和250W的功率耗散能力，该器件确保了在高温、高功率环境下的稳定性和耐久性，适用于对效率和可靠性有严苛要求的工业电源与电机驱动系统。